[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 201811324411.0 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109841508A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 川渕洋介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基片处理 基片处理装置 干燥工序 基片干燥 形成工序 液膜 密度大于空气 表面形成 加热基片 有机溶剂 劣化 图案 | ||
【权利要求书】：
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
在基片的表面形成有机溶剂的液膜的形成工序；和
干燥工序，其在使形成有所述液膜的所述基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热所述基片以使所述基片干燥。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述干燥工序中，在有机溶剂气体气氛下使所述基片干燥。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述干燥工序包括在使所述基片干燥后，将所述有机溶剂气体置换为不活泼气体的置换工序。
4.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述干燥工序中，使所述基片在静止的状态下干燥。
5.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述形成工序和所述干燥工序在同一腔室内进行。
6.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
形成部，其用于在基片的表面形成有机溶剂的液膜；和
干燥部，其在使形成有所述液膜的所述基片的周围的气体密度大于空气的气体密度的状态下，加热所述基片以使所述基片干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
