[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811324103.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109494233A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李志伟;冉春明;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式图像传感器 基底 第二面 感光区 滤镜 电致变色材料 电路层 隔离区 全像素 入光量 分辨率 分立 图像 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干相互分立的感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区；
位于所述基底第二面表面的电路层；
位于所述基底第一面表面的滤镜层，所述滤镜层的材料为电致变色材料。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述滤镜层包括沿垂直于基底表面方向上层叠的红色滤镜、绿色滤镜和蓝色滤镜。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述电致变材料包括：无机电致变色材料和有机电致变色材料。
4.如权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述无机电致变色材料包括WO3或TiO2。
5.如权利要求3所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述有机电致变色材料包括：聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物或聚苯胺及其衍生物。
6.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述基底部分隔离区第一面表面的栅格，所述栅格覆盖滤镜层的侧壁表面，且位于相邻栅格底部的基底内具有至少一个感光区。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述滤镜层表面的微透镜。
8.一种如权利要求1至7任一项所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述基底包括若干相互分立的感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区；
在基底第二面表面形成电路层；
在基底第一面表面形成滤镜层，所述滤镜层的材料为电致变色材料。
9.如权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜层的形成工艺包括：旋涂工艺。
10.如权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成电路层之后，在形成滤镜层之前，还包括：在所述基底部分隔离区第一面表面形成栅格，且位于相邻栅格底部的基底内具有至少一个感光区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
