[发明专利]半导体图像传感器在审

专利信息
申请号: 201811284627.9 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109728018A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 江伟杰;周耕宇;庄君豪;吴纹浩;施俊吉;曾建贤;桥本一明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蒋林清
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 衬底 像素传感器 半导体图像传感器 彩色滤光片 微结构 背侧照明
【说明书】:

发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含:衬底,其包含前侧及与所述前侧相对的背侧;像素传感器,其放置于所述衬底中;及彩色滤光片,其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构,且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。

技术领域

本发明实施例涉及半导体图像传感器。

背景技术

数字摄像机及其它成像装置使用图像传感器。图像传感器将光学图像转换成可表示为数字图像的数字数据。图像传感器包含像素传感器的阵列及支持逻辑电路。所述阵列的像素传感器是用于测量入射光的单元装置,且支持逻辑电路促进测量结果的读出。通常用于光学成像装置中的一种类型的图像传感器为背侧照明(BSI)图像传感器。BSI图像传感器制造可集成到常规半导体制程中以实现低成本、小的大小及高度集成。另外,BSI图像传感器具有低工作电压、低功率消耗、高量子效率、低读出噪声且允许随机存取。

发明内容

本发明的实施例涉及一种背侧照明(BSI)图像传感器,其包括:衬底,其包括前侧及与所述前侧相对的背侧;多个像素传感器,其放置于所述衬底中,且所述像素传感器中的各者包括光感测装置及在所述衬底的所述背侧上放置于所述光感测装置上方的多个微结构;隔离结构,其放置于所述衬底中;多个彩色滤光片,其在所述衬底的所述背侧上放置于所述像素传感器上方;及多个微透镜,其放置于所述彩色滤光片上方,其中所述像素传感器中的一者的所述微结构及所述光感测装置通过所述隔离结构与邻近像素传感器的所述微结构及所述光感测装置隔离。

本发明的实施例涉及一种背侧照明(BSI)图像传感器,其包括:衬底,其包括前侧及与所述前侧相对的背侧;像素传感器,其放置于所述衬底中,且所述像素传感器包括放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构;及彩色滤光片,其放置于所述像素传感器上方,且所述彩色滤光片包括放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。

本发明的实施例涉及一种背侧照明(BSI)图像传感器,其包括:衬底,其包括前侧及与所述前侧相对的背侧;像素传感器,其放置于所述衬底中,且所述像素传感器包括放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构及放置于所述衬底的所述前侧上方的多个第二微结构;及彩色滤光片,其放置于所述像素传感器上方,且所述彩色滤光片包括放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第三微结构。

附图说明

当结合附图阅读时,从以下具体实施方式最佳地理解本揭露的方面。应注意,根据业界中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。事实上,可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A为一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的截面图。

图1B为图1A的BSI图像传感器的部分放大视图。

图2A为一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的截面图。

图2B为图2A的BSI图像传感器的部分放大视图。

图3到7为一些实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的部分放大视图。

图8为一或多个实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的截面图。

图9到12为一些实施例中的根据本揭露的方面的BSI图像传感器的部分放大视图。

具体实施方式

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