[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201811216101.7 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN109390276A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林瑀宏;叶菁馥;蔡昕辰;梁耀祥;张育民;林士琦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连结构 阻挡层 沉积 晶体结构 诱导金属 诱导 引入 改进 | ||
1.一种用于形成互连结构的方法，所述方法包括：
在衬底上沉积介电材料层；
在所述介电材料层中形成开口以露出下面的导电材料；以及
形成导电部件，包括：
在所述开口中沉积第一Ta阻挡层；
在所述第一Ta阻挡层上形成α相诱导金属层，使得所述α相诱导金属层仅覆盖所述第一Ta阻挡层的底面；
在所述α相诱导金属层上沉积第二Ta阻挡层；
在所述第二Ta阻挡层上形成第一含Cu金属的晶种层；以及
使用第二含Cu金属填充所述开口。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括部分地去除所述第二含铜金属和所述晶种层的至少一部分，从而暴露所述第一Ta阻挡层的顶面，而不暴露所述α相诱导金属层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一Ta阻挡层或所述第二Ta阻挡层是化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)或原子层沉积(ALD)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过物理汽相沉积工艺、化学汽相沉积工艺、原子层沉积工艺、电镀、化学镀或它们的组合形成所述第一含Cu金属的所述晶种层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述第二含铜金属填充所述开口是电镀或化学镀选自由铜(Cu)、铜镁(CuMg)、铜铝(CuAl)、铜锰(CuMn)、铜钛(CuTi)、铜硅(CuSi)、铜钨(CuW)、铜钽(CuTa)、铜锆(CuZr)、铜钼(CuMo)和它们的组合组成的组中的金属。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一含Cu金属不同于所述第二含Cu金属。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括重复形成所述导电部件的步骤以形成覆盖所述第二含铜金属的第二导电部件。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述α相诱导金属层是电镀选自由Cu、钴(Co)和钌(Ru)组成的组的金属层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述α相诱导金属层是化学镀选自由Cu、Co和Ru组成的组的金属层。
10.根据权利要求2所述的方法，其中，部分地去除所述第二含铜金属和所述晶种层的至少一部分包括化学机械抛光(CMP)工艺或电抛光工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
