[发明专利]存储器的参考电流控制电路在审
| 申请号： | 201811211698.6 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109192235A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制栅电压 参考存储单元 存储器 参考电流 存储单元 控制电路 生成电路 控制栅 读取 施加 参考阵列 输出 主阵列 | ||
1.一种存储器的参考电流控制电路，包括：
主阵列，包括至少一个存储单元，所述至少一个存储单元的控制栅上施加有第一控制栅电压；
参考阵列，包括至少一个参考存储单元，所述至少一个参考存储单元的控制栅上施加有第二控制栅电压；
其特征在于，还包括：
控制栅电压生成电路，适于调节所述第二控制栅电压低于第一控制栅电压，且调节所述存储器的读电流窗口。
2.根据权利要求1所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述控制栅电压生成电路包括：
第一控制栅电压生成支路，适于向所述至少一个存储单元提供所述第一控制栅电压；以及
第二控制栅电压生成支路，适于向所述至少一个参考存储单元提供所述第二控制栅电压。
3.根据权利要求2所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述第一控制栅电压生成支路包括：
第一电荷泵，其输入端接收电源电压；以及
第一倍压器，适于根据所述第一电荷泵的输出电压生成所述第一控制栅电压。
4.根据权利要求3所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述第二控制栅电压生成支路包括：
第二电荷泵，其输入端接收电源电压；以及
第二倍压器，适于根据所述第二电荷泵的输出电压生成中间电压；以及
调节电路，适于根据所述中间电压生成所述第二控制栅电压。
5.根据权利要求4所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述第一倍压器的驱动能力大于所述第二倍压器。
6.根据权利要求4所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述调节电路包括：
低阈值管，其漏极输出第二控制栅电压，源极接收所述第一控制栅电压，栅极接收所述中间电压；以及
偏置电流源，适于向所述低阈值管提供偏置电流。
7.根据权利要求6所述的参考电流控制电路，其特征在于，所述低阈值管的阈值范围为-1V至1V，其阈值随工作温度的升高而降低。
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