[发明专利]图像感测设备有效
| 申请号: | 201811210354.3 | 申请日: | 2018-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN109728012B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
| 发明(设计)人: | 尹惺铉;权杜原;金宽植;宋泰荣;崔珉准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 设备 | ||
提供了一种图像感测设备,该图像感测设备包括第一基底结构、第二基底结构和存储器芯片。第一基底结构包括具有光电转换元件的像素区域。第二基底结构包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且还包括电路区域以驱动像素区域。存储器芯片安装在第二基底结构的第二表面上。第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接。第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接。第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。
在2017年10月31日提交且名称为“图像感测设备(Images Sensing Apparatus)”的第10-2017-0143483号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
这里描述的一个或更多个实施例涉及一种图像感测设备。
背景技术
图像感测装置捕获图像并且将它们转换为电信号。这些装置被使用在例如汽车相机、安保装置、机器人、数码相机、用于移动电话的相机模块和便携式摄像机中。为了满足产品规格,这些图像感测装置中的许多应该尺寸紧凑,具有高分辨率,并且执行高速图像数据处理。
发明内容
根据一个或更多个实施例,图像感测设备包括:第一基底结构,包括具有光电转换元件的像素区域;第二基底结构,包括连接到第一基底结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面,第二基底结构包括电路区域以驱动像素区域;以及存储器芯片,安装在第二基底结构的第二表面上,其中,第一基底结构和第二基底结构通过穿过第一基底结构的第一连接过孔电连接,第二基底结构和存储器芯片通过穿过第二基底结构的一部分的第二连接过孔电连接,第一连接过孔和第二连接过孔在平面上位于不同位置处。
根据一个或更多个其它实施例,图像感测设备包括:第一基底结构,包括具有光电转换元件的像素区域;第二基底结构,包括电连接到第一基底结构的像素区域的电路区域以驱动像素区域;以及至少一个半导体芯片,安装在第二基底结构上,通过导电凸起连接到第二基底结构,并且通过连接过孔电连接到电路区域,连接过孔穿过第二基底结构的一部分,其中,第二基底结构包括在电路区域周围并且具有垫的垫区域,其中,连接过孔位于电路区域和垫区域中。
根据一个或更多个其它实施例,图像感测设备包括:第一基底结构,包括具有光电转换元件的像素区域,第一基底结构包括第一连接过孔;第二基底结构,堆叠在第一基底结构的一个表面上并且通过第一连接过孔电连接到第一基底结构,第二基底结构包括第二连接过孔和电路区域以驱动像素区域;以及半导体芯片,堆叠在第二基底结构的一个表面上并且通过第二连接过孔电连接到第二基底结构,其中,第一连接过孔和第二连接过孔在第一基底结构和第二基底结构堆叠的方向上相对于彼此偏移。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员来说将变得明显,在附图中:
图1示出图像感测设备的实施例;
图2示出图像感测设备的布局实施例;
图3示出图像感测设备的剖面实施例;
图4A、图4B和图5示出第一连接过孔和第二连接过孔的实施例;
图6A和图6B示出第二连接过孔的另外的实施例;
图7A和图7B示出像素的实施例;
图8A和图8B示出像素电路的实施例;
图9示出图像感测设备的另一实施例;
图10示出图像感测设备的另一实施例;以及
图11A至图11L示出与用于制造图像感测设备的方法的实施例对应的各个阶段。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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