[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

权利要求书

1.一种竖直型半导体器件，包括：

设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，第一源/漏层中至少靠近外周面的一部分是应力源，第二源/漏层中至少靠近外周面的一部分是应力源；以及

绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠，

其中，第一源/漏层和第二源/漏层各自均包括种子层以及绕种子层的外周形成的应力源。

2. 根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，还包括以下至少之一：

针对第一源/漏层的第一电连接部件，包括设于有源区顶部上的第一接触部以及与第一接触部相接触、且从有源区顶部延伸至与第一源/漏层相接触的第一导电通道；以及

针对栅堆叠的第二电连接部件，包括设于有源区顶部上的第二接触部以及与第二接触部相接触、且从有源区顶部延伸至与栅堆叠相接触的第二导电通道。

3.根据权利要求1或2所述的竖直型半导体器件，还包括在衬底上形成的多个应力增强层，每一应力增强层包括竖直延伸的竖直延伸部以及与竖直延伸部相接、横向延伸的横向延伸部，其中，各应力增强层的竖直延伸部绕有源区的外周布置。

4.根据权利要求3所述的竖直型半导体器件，其中，所述应力增强层中的应变与应力源中的应变相反。

5.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，其中，第一源/漏层和第二源/漏层各自的种子层具有相同的横向尺寸。

6.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，还包括：第二源/漏层中的种子层顶面上的另一种子层，所述另一种子层与应力源具有相同的晶体结构。

7.根据权利要求1所述的竖直型半导体器件，其中，种子层与应力源包括具有不同晶格常数的半导体材料。

8. 根据权利要求7所述的竖直型半导体器件，其中，

应力源的晶格常数大于种子层的晶格常数以便产生压应力；或者

应力源的晶格常数小于种子层的晶格常数以便产生拉应力。

9.根据权利要求6所述的竖直型半导体器件，其中，所述另一种子层的横向尺寸大于沟道层的横向尺寸。

10.根据权利要求2所述的竖直型半导体器件，还包括：

设于有源区顶部的针对第二源/漏层的第三接触部，其中第三接触部竖直延伸以与第二源/漏层相接触。

11.根据权利要求10所述的竖直型半导体器件，还包括：

在有源区顶部形成的电介质层，其中第一电连接部件和第二电连接部件的相应的第一接触部和第二接触部形成在电介质层上，第三接触部形成为贯穿电介质层。

12.根据权利要求3所述的竖直型半导体器件，其中，应力增强层成对出现，同一对应力增强层分别处于有源区的相对两侧。

13.根据权利要求12所述的竖直型半导体器件，还包括：

在有源区顶部形成的电介质层，其中，各应力增强层的竖直延伸部沿着所述电介质层的外周形成，且从所述电介质层的外周向下延伸。

14.根据权利要求3所述的竖直型半导体器件，其中，栅堆叠的一部分与应力增强层的竖直延伸部物理接触。

15.根据权利要求2所述的竖直型半导体器件，其中，第一导电通道和/或第二导电通道具有应力。

16.根据权利要求15所述的竖直型半导体器件，其中，在所述竖直型半导体器件为n型器件的情况下，第一导电通道和/或第二导电通道具有压应力；在所述竖直型半导体器件为p型器件，第一导电通道和/或第二导电通道具有拉应力。