[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成至密封在密封剂中的第一半导体器件的第一通孔；

在所述第一通孔上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成金属化层，所述金属化层具有第一宽度；

图案化在所述金属化层上方的第一光刻胶，以在所述第一光刻胶中形成开口；在所述金属化层上方的所述开口中形成第二通孔，所述第二通孔具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，形成所述金属化层和形成所述第二通孔均利用所述晶种层，

去除所述第一光刻胶；

在所述金属化层的上方沉积介电材料；以及

平坦化所述介电材料，直至暴露所述第二通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成第三通孔；

靠近所述第三通孔放置所述第一半导体器件；以及

密封所述第三通孔和所述第一半导体器件以形成密封在所述密封剂中的所述第一半导体器件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成完全置放的通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成部分置放的通孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成覆盖所述金属化层的侧壁的所述第二通孔。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述第二通孔形成部分地覆盖所述金属化层的侧壁的所述第二通孔。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方的第一通孔上方沉积晶种层，所述第一通孔电连接至第一管芯的第一外部连接件，所述第一管芯密封在密封剂内；

在所述晶种层上方的第一光刻胶中图案化第一开口；

利用所述晶种层在所述第一光刻胶的所述第一开口内电镀第一金属化层；

去除所述第一光刻胶；

在去除所述第一光刻胶之后，在所述第一金属化层上方的第二光刻胶中图案化第二开口；以及

利用所述晶种层在所述第二光刻胶的所述第二开口内电镀第二通孔，

去除所述第二光刻胶；

在所述第一金属化层的上方沉积介电材料；

平坦化所述介电材料，直至暴露所述第二通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二开口暴露所述第一金属化层的顶面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二开口暴露所述第一金属化层的侧壁。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二开口暴露所述晶种层的部分。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，

利用所述第二通孔平坦化所述介电材料。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在沉积所述晶种层之前，在所述衬底上方形成第三通孔；

在所述衬底上方形成所述第三通孔之后，将所述第一管芯附接至所述衬底；以及

在将所述第一管芯附接至所述衬底之后，用所述密封剂密封所述第一管芯和所述第三通孔。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在密封所述第一管芯之后形成所述第一通孔。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一管芯包括第一介电材料和与所述第一介电材料不同的第二介电材料，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料均位于接触焊盘和所述第一外部连接件之间。