[发明专利]包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

在基板上的前道工序区，所述前道工序区包括静电放电保护电路和与所述静电放电保护电路电连接的集成电路；

在所述前道工序区上的后道工序区；以及

在所述基板的划片区上的静电放电保护图案，

其中，所述静电放电保护图案包括：

下部图案，所述下部图案沿着所述基板水平延伸并且具有暴露在所述后道工序区外部的侧表面；

通路，所述通路电连接到所述下部图案并且垂直于所述基板延伸；以及

上部图案，所述上部图案电连接到所述通路。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上部图案包括沿着所述基板水平延伸的再分配图案。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路和所述上部图案与所述后道工序区的侧表面分隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下部图案不直接与所述基板物理连接和电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述静电放电保护图案通过所述上部图案电连接到所述静电放电保护电路。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述静电放电保护图案还包括在所述上部图案和所述下部图案之间并且完全掩埋在所述后道工序区内的中间图案。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述通路包括：

第一通路，所述第一通路在所述下部图案和所述中间图案之间；以及

第二通路，所述第二通路在所述中间图案和所述上部图案之间，

其中，所述第一通路和所述第二通路被完全掩埋在所述后道工序区内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述上部图案具有在远离所述后道工序区的侧表面的方向上延伸的线形，以及

所述下部图案具有朝向所述后道工序区的侧表面延伸的线形。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述上部图案与所述后道工序区的侧表面分隔开，以及

所述下部图案的侧表面与所述后道工序区的侧表面共面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当接收到比施加到所述集成电路的测试电压或测试电流大的电击时，所述通路自动断裂。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

在基板上的半导体集成电路；

电连接区，所述电连接区在所述半导体集成电路上并且具有在所述基板的划片区中的侧表面，所述侧表面与所述基板的侧表面共面；以及

在所述基板的划片区上的电保护图案，

其中，所述电保护图案包括：

下部图案，所述下部图案沿着所述基板延伸并且包括通过所述电连接区的侧表面暴露的暴露部分；

通路，所述通路与所述下部图案电连接，并且被构造成因比施加到所述半导体集成电路的电测试电压大的放电而自动断裂；以及

上部图案，所述上部图案电连接到所述通路并且不通过所述电连接

区的侧表面暴露。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述上部图案具有在远离所述电连接区的侧表面的方向上延伸的线形。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述上部图案具有与所述电连接区的侧表面分隔开的垫形。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述通路具有柱形，所述柱形与所述电连接区的侧表面分隔开，并且在沿着所述电连接区的侧表面的方向上在所述下部图案和所述上部图案之间延伸。