[发明专利]一种OLED显示面板及其制作方法,以及显示装置有效
申请号: | 201811095914.5 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109244115B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 马新利;陈东川;钱学强;刘冰洋;王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种OLED显示面板及其制作方法,以及显示装置。该OLED显示面板包括:对盒设置的第一基板和第二基板,第一基板接近第二基板的一侧依次设置有发光单元、第一封装层和第二封装层;第一封装层为周边厚中间薄的凹透镜形状,第二封装层为周边薄中间厚的凸透镜形状,且第二封装层的折射率小于第一封装层和第二基板的折射率。本发明实施例解决了现有OLED显示面板由于利用微腔效应而产生的窄视角和色偏问题。
技术领域
本申请涉及但不限于显示技术领域,尤指一种OLED显示面板及其制作方法,以及显示装置。
背景技术
与传统液晶显示面板相比,有机电致发光显示(Organic ElectroluminanceDisplay,简称为:OLED)装置以其自发光的特征不需要单独的光源,可以被制得更轻更纤薄。另外,OLED显示装置由于其优异的颜色实现、响应速度、视角、对比度(ComputedRadiography,简称为:CR),以及因低电压操作带来的低功耗优点,已被广泛应用显示技术领域。
目前,OLED显示装置使用微腔效应提高显示图像的发光效率和色纯度,微腔效应是从有机发光层(Electro-Luminescence,简称为:EL)发射的光在特定层之间被反复选择性地反射,并以增加的光学强度透过第一电极层或第二电极层,由此提高最终输出光的亮度和色纯度。然而,使用微腔效应的OLED显示装置,其发光层(EL)发射光的亮度会随着视角的增加而降低,使得OLED显示装置的视角较窄,光的主峰值波长也会变化从而导致色偏。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种OLED显示面板及其制作方法,以及显示装置,通过改善现有OLED显示面板中封装层的结构,以解决现有OLED显示面板由于利用微腔效应而产生的窄视角和色偏问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板,包括:对盒设置的第一基板和第二基板,所述第一基板接近所述第二基板的一侧依次设置有发光单元、第一封装层和第二封装层;
所述第一封装层为周边厚中间薄的凹透镜形状,所述第二封装层为周边薄中间厚的凸透镜形状,且所述第二封装层的折射率小于所述第一封装层和所述第二基板的折射率。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,还包括:设置于所述第二封装层和所述第二基板之间的第三封装层,所述第三封装层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,还包括:设置于所述第三封装层和所述第二基板之间的光扩散层。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,还包括:设置于所述第二封装层和所述第三封装层之间的光扩散层,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,还包括:设置于所述第一封装层和所述第二封装层之间的光扩散层,或者,设置于所述第二封装层和所述第二基板之间的光扩散层;
其中,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,所述发光单元位于像素界定层中,所述发光单元包括接近所述第一基板依次设置的第一电极层、有机发光层和第二电极层。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,所述第一封装层的材质为氧化硅或氮化硅,所述第二封装层的材质为环氧基类材料。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,所述第三封装层的材质为氧化硅或氮化硅。
可选地,如上所述的OLED显示面板中,还包括:设置于所述第一基板与所述发光单元之间的有像素阵列层。
本发明实施例还提供一种OLED显示面板的制作方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的