[发明专利]一种OLED显示面板及其制作方法,以及显示装置有效
申请号: | 201811095914.5 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109244115B | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 马新利;陈东川;钱学强;刘冰洋;王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:对盒设置的第一基板和第二基板,所述第一基板接近所述第二基板的一侧依次设置有发光单元、第一封装层、第二封装层和第三封装层;
所述第一封装层为周边厚中间薄的凹透镜形状,所述第二封装层为周边薄中间厚的凸透镜形状,且所述第二封装层的折射率小于所述第一封装层和所述第二基板的折射率,所述第三封装层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,还包括:设置于所述第三封装层和所述第二基板之间的光扩散层。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,还包括:设置于所述第二封装层和所述第三封装层之间的光扩散层,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:设置于所述第一封装层和所述第二封装层之间的光扩散层;
其中,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一封装层的材质为氧化硅或氮化硅,所述第二封装层的材质为环氧基类材料。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第三封装层的材质为氧化硅或氮化硅。
7.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在所述OLED显示面板的发光单元上形成第一封装层,所述第一封装层为周边厚且中间薄的凹透镜形状,所述发光单元位于第一基板的一侧;
在所述第一封装层上依次形成第二封装层、第三封装层和第二基板,所述第二封装层的折射率小于所述第一封装层和所述第二基板的折射率,所述第三封装层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述OLED显示面板的发光单元上形成第一封装层,包括:
在所述OLED显示面板的发光单元上形成第一封装层薄膜;
采用半色调掩膜工艺在所述OLED显示面板的发光单元上形成第一封装层对所述第一封装层薄膜进行一次掩膜处理,形成所述第一封装层。
9.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述在形成所述第二基板之前,所述方法还包括:
在所述第三封装层上形成光扩散层。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述在形成所述第三封装层之前,所述方法还包括:
在所述第二封装层上形成光扩散层;
其中,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
11.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述在形成所述第二封装层之前,所述方法还包括:
在所述第一封装层上形成光扩散层,所述光扩散层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~6中任一项所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的