[发明专利]极紫外光表膜设备

说明书

本公开是关于一种形成表膜设备的方法，包括藉由在一基底装置层上方沉积定义一层或多层表膜层以形成装置基板，其中释放层形成在上述表膜层上方。粘合层形成在透明承载基板上方。上述粘着层接合到释放层上，而定义出包括装置基板及承载基板的复合基板。从复合结构去除基底装置层，且将表膜框架附接到表膜层的最外层。将表膜区与复合结构的剩余区隔开，且通过透明承载基板对释放层进行烧蚀，从而定义包括附接到表膜框架的表膜的一表膜设备。随后将表膜设备从复合基板的剩余部分分离。

技术领域

本公开的实施例是关于一种极紫外光(远紫外光)表膜设备，且特别关于一种包括复合结构的极紫外光表膜设备。

背景技术

极紫外光刻(Extreme ultraviolet lithography，EUVL，极紫外光微影)是在先进技术节点中具有前景的下一代光刻技术方案。使用极紫外光刻形成的集成芯片的最小特征尺寸可小于32纳米。这种小特征尺寸会使污染物(例如灰尘、由空气传播的微生物、化学蒸气等)在制造期间损坏集成芯片。为了防止这些污染物损坏集成芯片，集成芯片是在具有低污染物程度的无尘室中制造。

然而，就算是最好的无尘室，仍然含有可能落在光刻倍缩掩模(reticle)上并导致缺陷的污染物。为了防止这种倍缩掩模的污染，在许多光刻系统中使用了表膜(pellicle)。上述表膜是允许光穿透(optically transmitting)的薄膜(thin film，即膜(membrane))，其设置在倍缩掩模上方，可防止污染物颗粒落在倍缩掩模上以提供保护及免于微粒污染的影响。

发明内容

在一些实施例中，提供一种极紫外光表膜设备，其中上述极紫外光表膜设备包括厚度小于约500纳米的复合结构。上述复合结构包括具有第一表面和第二表面的第一表膜层、以及具有第三表面和第四表面的第二表膜层，其中第三表面与第一表膜层的第二表面形成界面。上述复合结构还包括具有第五表面和第六表面的第三表膜层，其中第五表面与第二表膜层的第四表面形成界面。上述极紫外光设备还包括表膜框架，其连接到第一表膜层的第一表面的外部边缘，并且配置为用以将上述复合结构安装到极紫外光倍缩掩模上，其中第一表面和第六表面面朝相反的方向。

在一些实施例中，提供一种形成表膜设备的方法，该方法包括提供装置基板，该装置基板具有定义在一基底装置层上方的一层或多层表膜层。在上述一层或多层表膜层上方形成释放层。提供透明承载基板。在透明承载基板上方形成粘合层，将粘合层接合到释放层上，而在其中定义包括装置基板及透明承载基板的一复合基板。从复合基板去除基底装置层。将一表膜框架附接(attaching)到上述一层或多层表膜层的最外表面。将一表膜区与复合基板的剩余区(remainder)隔开，其中表膜区与表膜框架的外周长相关。通过透明承载基板对释放层进行烧蚀(ablation)，而在其中定义一表膜设备，该表膜设备包括附接到表膜框架的表膜膜层。将表膜设备从复合基板的剩余部分(remaining portion)分离。

在一些实施例中，提供一种极紫外光刻系统。上述极紫外光刻系统包括极紫外光辐射源、光刻倍缩掩模、目标设备以及表膜设备。在光刻倍缩掩模上有图案。目标设备被配置为用以支撑目标基板，其中极紫外光辐射源、光刻倍缩掩模、及目标设备被布置为使极紫外光辐射源被配置为使用与光刻倍缩掩模上的图案相关的图像来曝光目标基板。表膜设备被配置为用以保护上述光刻倍缩掩模，该表膜设备包括复合结构。上述复合结构包括具有第一表面和第二表面的第一表膜层、以及具有第三表面和第四表面的第二表膜层，其中第三表面与第一表膜层的第二表面形成界面。上述复合结构还包括具有第五表面和第六表面的第三表膜层，其中第五表面与第二表膜层的第四表面形成界面。上述极紫外光设备还包括表膜框架，其连接到第一表膜层的第一表面的外部边缘，并且配置为用以将上述复合结构安装到极紫外光倍缩掩模上，其中第一表面和第六表面面朝相反的方向。

附图说明