[发明专利]极紫外光表膜设备在审
申请号: | 201811094209.3 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109557762A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 刘丙寅;黄信华;吴常明;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳;宋洋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表膜 承载基板 表膜层 释放层 表膜框架 复合基板 复合结构 基底装置 极紫外光 形成装置 装置基板 接合 透明 膜设备 剩余区 粘合层 粘着层 最外层 沉积 多层 隔开 基板 去除 烧蚀 | ||
【权利要求书】:
1.一种极紫外光表膜设备,包括:
一复合结构,具有小于约500nm的厚度,该复合结构包括:
一第一表膜层,具有一第一表面及一第二表面;
一第二表膜层,具有一第三表面及一第四表面,其中该第三表面与该第一表膜层的该第二表面形成界面;以及
一第三表膜层,具有一第五表面及一第六表面,其中该第五表面与该第二表膜层的该第四表面形成界面;以及
一表膜框架,连接到该第一表膜层的该第一表面的多个外部边缘,且配置为用以将该复合结构安装到一极紫外光倍缩掩模上,其中该第一表面及该第六表面为面朝相反的方向。
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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