[发明专利]太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平

说明书

本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。

本申请是基于申请日为2015年5月21日、申请号为201580028858.1、发明创造名称为“太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平”的中国专利申请的分案申请。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在P型扩散区与N型扩散区之间形成PN结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的P型扩散区和N型扩散区，从而在扩散区之间形成电压差。将扩散区连接至太阳能电池上的导电区域，以将电流从太阳能电池引导至外部电路。例如，在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们耦接的交叉的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触指使得可以将外部电路联接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1示出了根据一些实施例的示例性太阳能电池的一部分的剖视图，该太阳能电池具有形成在P型扩散区与N型扩散区之间的对接的PN结，扩散区形成在基板上方。

图2为根据一个实施例的流程图，该流程图示出了一种形成具有较低P型掺杂物浓度水平的背接触太阳能电池的示例性方法。

图3为根据一个实施例的流程图，该流程图示出了一种形成具有较低P型掺杂物浓度水平的背接触太阳能电池的示例性方法。

图4至图9示出了根据一些实施例的形成背接触太阳能电池的剖视图，该背接触太阳能电池具有形成在P型扩散区与N型扩散区之间的对接的PN结，扩散区形成在基板上方。

图10为根据一个实施例的流程图，该流程图示出了一种形成具有较低P型掺杂物浓度水平的背接触太阳能电池的示例性方法。

图11至图16示出了根据一些实施例的形成背接触太阳能电池的剖视图，该背接触太阳能电池具有形成在P型扩散区与N型扩散区之间的对接的PN结，扩散区在基板上使用反向掺杂来形成。

图17为根据一个实施例的流程图，该流程图示出了一种通过印刷P型掺杂物源和N型掺杂物源而形成具有较低P型掺杂物浓度水平的背接触太阳能电池的示例性方法。

图18至图22示出了根据一些实施例的形成背接触太阳能电池的剖视图，该背接触太阳能电池具有形成在P型扩散区与N型扩散区之间的对接的PN结，扩散区通过在基板上印刷而形成。

具体实施方式

以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。