[发明专利]太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板，所述基板包括正面和与所述正面相背对的背面，所述正面面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射；

P型扩散区，所述P型扩散区位于所述基板的背面上方，所述P型扩散区由包括具有第一掺杂物浓度水平的第一掺杂物源的P型掺杂区形成，其中所述P型扩散区包括硼，所述硼的掺杂物浓度水平小于5E17/cm3；

N型扩散区，所述N型扩散区位于所述基板的背面上方且邻近所述P型扩散区，其中所述N型扩散区由包括第二掺杂物浓度水平的N型掺杂区形成，所述第二掺杂物浓度水平大于所述第一掺杂物浓度水平；

电介质层，所述电介质层设置在所述P型扩散区和所述N型扩散区的上方；以及

钝化区，所述钝化区位于所述P型扩散区和所述N型扩散区之间的边界区处，其中所述钝化区包括氢。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述N型扩散区包括磷，所述磷的掺杂物浓度水平大于1E20/cm3的10％。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中电介质层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述P型掺杂区和所述N型掺杂区设置在所述基板上方的薄电介质层上方。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中所述薄电介质层包括二氧化硅或氮化硅。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括：

第一金属接触指，所述第一金属接触指耦接至所述P型扩散区，所述P型扩散区由所述基板的所述背面上的所述P型掺杂区形成；以及

第二金属接触指，所述第二金属接触指耦接至所述N型扩散区，所述N型扩散区由所述基板的所述背面上的所述N型掺杂区形成。

7.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

基板，所述基板包括正面和与所述正面相背对的背面，所述正面面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射；

多晶硅层，所述多晶硅层形成在所述基板的背面上方；

P型扩散区，所述P型扩散区形成在所述多晶硅层中，所述P型扩散区由包括具有第一掺杂物浓度水平的第一掺杂物源的P型掺杂区形成，其中所述P型扩散区的第一掺杂物浓度水平小于5E17/cm3；

N型扩散区，所述N型扩散区形成在所述多晶硅层中且邻近所述P型扩散区，其中所述N型扩散区由包括第二掺杂物浓度水平的N型掺杂区形成，所述第二掺杂物浓度水平大于所述第一掺杂物浓度水平；以及

钝化区，所述钝化区位于所述P型扩散区和所述N型扩散区之间的边界区处，其中所述钝化区包括氢。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中用于形成所述P型扩散区的P型掺杂物源与用于形成所述N型扩散区的N型掺杂物源的浓度比为1:100。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中电介质层包括氮化硅。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中所述P型掺杂区和所述N型掺杂区设置在所述基板上方的薄电介质层上方。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述薄电介质层包括二氧化硅或氮化硅。

12.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板的上方由P型掺杂区形成P型扩散区，所述P型掺杂区包括具有第一掺杂物浓度水平的第一掺杂物源，其中在基板的上方形成P型扩散区包括在小于5E17/cm3的掺杂物浓度水平下使用硼作为P型掺杂物源；

在所述基板的上方且邻近所述P型扩散区由N型掺杂区形成N型扩散区，所述N型掺杂区包括具有第二掺杂物浓度水平的第二掺杂物源，其中所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平；以及

使用氢钝化所述P型扩散区与所述N型扩散区之间的边界区。