[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811082870.2 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN109116647B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 薛进进;史大为;李峰;姚磊;王文涛;徐海峰;杨璐;候林;王金锋;李梅;方业周 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括多个像素单元,所述像素单元划分为透光区域和反射区域,所述反射区域的阵列基板包括:
衬底基板以及设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述存储电容包括层叠设置在所述衬底基板一侧的金属层、层间介质层以及反射层,所述金属层靠近所述衬底基板设置;
设置在所述存储电容背离所述衬底基板一侧的公共电极层,所述公共电极层在衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影交叠,所述反射层与所述公共电极层直接接触连接,所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接;
所述薄膜晶体管包括源漏金属层,所述源漏金属层和所述反射层同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:层叠设置在所述衬底基板一侧的所述有源层、栅极绝缘层、栅极层、所述层间介质层以及所述源漏金属层,所述有源层靠近所述衬底基板设置;
其中,所述栅极层与所述金属层通过同一掩膜形成,所述金属层通过设置在所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述存储电容与所述公共电极层之间的平坦层,所述公共电极层通过设置在所述平坦层上的过孔与所述反射层连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:设置在所述公共电极层背离所述衬底基板一侧的钝化层和像素电极层,所述像素电极层通过设置在所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管连接。
5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层的材质为银。
6.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和存储电容,所述存储电容包括依次形成在所述衬底基板上的金属层、层间介质层以及反射层,所述金属层与所述薄膜晶体管的有源层连接;
在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层,所述公共电极层在衬底基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影交叠,所述反射层与所述公共电极层直接接触连接;
其中,所述薄膜晶体管包括源漏金属层,所述源漏金属层和所述反射层同层设置。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤,包括:
在所述衬底基板的一侧依次形成有源层、栅极绝缘层、栅极层、所述层间介质层以及所述源漏金属层;
其中,所述栅极层与所述金属层通过同一掩膜形成;所述金属层通过设置在所述栅极绝缘层上的过孔与所述有源层连接。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层的步骤之前,所述制备方法还包括:
在所述存储电容背离所述衬底基板的一侧形成平坦层;
所述公共电极层形成在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧,所述公共电极层通过设置在所述平坦层上的过孔与所述反射层连接。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述公共电极层背离所述衬底基板的一侧依次形成钝化层和像素电极层,所述像素电极层通过设置在所述钝化层上的过孔与所述薄膜晶体管连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811082870.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。