[发明专利]晶圆镀膜方法与设备在审

申请号：	201811051284.1	申请日：	2018-09-10
公开（公告）号：	CN110890268A	公开（公告）日：	2020-03-17
发明（设计）人：	不公告发明人	申请（专利权）人：	长鑫存储技术有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京律智知识产权代理有限公司 11438	代理人：	袁礼君;阚梓瑄
地址：	230000 安徽省合肥市***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	镀膜方法设备
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【说明书】：

本公开提供一种晶圆镀膜方法与装置。晶圆镀膜方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有图案；使用第一用量的第一液体对所述晶圆进行第一湿润处理，即将所述第一液体滴注在所述晶圆表面上，并通过旋转涂覆方式均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；使用第二用量的第二液体对所述晶圆进行第二湿润处理，即将所述第二液体滴注在所述晶圆表面上，并通过旋转涂覆方式均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；对所述晶圆进行烘烤。本公开提供的晶圆镀膜方法可以克服SOD过程中容易产生空洞的问题。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种晶圆镀膜方法与设备。

背景技术

在众多半导体镀膜技术中，SOD(Spin-On Dielectric，电介质旋转涂覆)镀膜方法由于具有较好的沟槽填充效果而被广泛应用。在SOD工艺过程中，通常使用聚硅氮烷(Poly-Silazane)作为前驱物，并通过溶剂使前驱物溶液进入晶圆上的图案沟槽并填满沟槽。接下来，通过烘烤和退火工艺，使晶圆上涂覆的前驱物溶液的溶剂蒸发，前驱物与氧气发生反应在沟槽中转化为二氧化硅，从而使金属导线得以隔离。

由于半导体元件尺寸的持续减小，沟槽尺寸向高深宽比方向发展。随着沟槽越来越窄，如图1所示，SOD工艺过程中前驱物溶液在沟槽中产生空洞的概率越来越大，而空洞容易导致半导体器件的电气性能不稳定以及可靠性变差，对半导体制造工艺的良品率提出了巨大的挑战。

因此，需要一种能够降低SOD工艺应用在窄沟槽时产生空洞的概率的晶圆镀膜方法。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种晶圆镀膜方法与晶圆镀膜装置，用于至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的SOD工艺应用在窄沟槽时产生空洞的问题。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种晶圆镀膜方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有图案；

使用第一用量的第一液体对所述晶圆进行第一湿润处理，即将所述第一液体滴注在所述晶圆表面上，并通过旋转涂覆方式均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；

使用第二用量的第二液体对所述晶圆进行第二湿润处理，即将所述第二液体滴注在所述晶圆表面上，并通过旋转涂覆方式均匀涂覆在所述晶圆的图案表面；

对所述晶圆进行烘烤。

在本公开的一种示例性实施例中，所述图案具有沟槽，所说沟槽的深宽比大于15。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一液体为醚类，所述第二液体为包含醚类和聚硅氮烷的混合溶液。