[发明专利]一种复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201811044364.4 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN110890468A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 覃辉军 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合材料 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种复合材料及其制备方法,所述复合材料包括:颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体,所述颗粒为无机半导体纳米晶,所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素,所述复合材料为应用于发光二极管的电子传输材料。本发明的复合材料中,卤素配体能够提高电子传输性能,油溶性有机配体能够有效降低电子传输速率,使材料本身的电子传输性能可调节,从而调节器件中电子传输速率与空穴传输速率,进而提高发光层的发光效率。由于油溶性有机配体的存在,能较大幅度的降低其电子传输性能,通过进一步掺杂金属元素,可以适当提高电子传输性能,从而进一步调节器件中电子传输速率与空穴传输速率,进而进一步提高发光层的发光效率。
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法。
背景技术
近年来,由于胶体量子点具有量子效率高、光纯度高、发射波长可调节等特点,成为最具有发展前景的新型显示材料。目前研究者们已经能成熟地制备出光致发光效率高达100%的量子点材料,能广泛地应用在生物标记、传感器件以及发光二极管(LED)中。
在量子点发光二极管制备过程中,其器件的外量子效率却很低,据报道的红绿蓝的器件效率都不足20%。为什么量子点材料的光致发光效率和电致发光效率差别如此之大呢,这主要是由于量子点材料使用光激发,而器件使用电激发。在器件结构中,量子点发光层对其他功能层如电子传输层、空穴传输层的要求较高,需其他功能层在功函数、传输性能、稳定性等各方面达到比较理想的情况才能得到较高的器件效率与寿命。决定量子点器件效率的一个很重要的因素就是电子传输速率与空穴传输速率达到平衡,目前的器件结构中,普遍来说都是电子传输速率大于空穴传输速率,两者很难达到平衡,导致器件效率和使用寿命较低。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法,旨在解决现有器件结构普遍是电子传输速率大于空穴传输速率,两者很难达到平衡,导致器件效率和使用寿命较低的问题。
本发明的技术方案如下:
一种复合材料,其中,包括:颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体,所述颗粒为无机半导体纳米晶,所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素,所述复合材料为应用于发光二极管的电子传输材料。
有益效果:本发明所述复合材料中,所述复合材料可作为发光二极管的电子传输材料,颗粒表面具有混合配体:卤素配体和油溶性有机配体,该油溶性有机配体使得复合材料为油溶性。本发明油溶性的复合材料,卤素配体能够提高电子传输性能,油溶性有机配体能够有效降低电子传输速率,使材料本身的电子传输性能可调节,从而调节器件中电子传输速率与空穴传输速率,进而提高发光层的发光效率。由于油溶性有机配体的存在,能较大幅度的降低其电子传输性能,通过进一步掺杂金属元素,能降低电子传输层向发光层的注入势垒或形成多余的自由电子,可以适当提高电子传输性能,从而进一步调节器件中电子传输速率与空穴传输速率,进而进一步提高发光层的发光效率。
具体实施方式
本发明提供一种复合材料及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果庚加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种复合材料,其中,包括:颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体,所述颗粒为无机半导体纳米晶,所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素,所述复合材料为应用于发光二极管的电子传输材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择