[发明专利]一种复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，包括：颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体，所述颗粒为无机半导体纳米晶，所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素，所述复合材料为应用于发光二极管的电子传输材料。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料在可见波段无发射；

和/或，所述无机半导体纳米晶的粒径为2-7nm。

3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体纳米晶为金属氧化物颗粒，所述金属氧化物颗粒选自ZnO颗粒、CdO颗粒、SnO颗粒或GeO颗粒；

或者，所述无机半导体纳米晶为金属硫化物颗粒，所述金属氧化物颗粒选自ZnS颗粒、SnS颗粒或GeS颗粒。

4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述卤素配体选自氯离子、溴离子和碘离子中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述油溶性有机配体选自碳原子数大于等于8的直链有机配体、支链碳原子数大于等于4的仲胺或叔胺、取代或未取代的烷胺基膦、取代或未取代的烷氧基膦、取代或未取代的硅烷基膦和支链碳原子数大于等于4的烷基膦中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇、碳原子数大于等于8的有机磷酸和取代或未取代的烷胺基膦中的多种；

或者，所述油溶性有机配体为取代或未取代的烷胺基膦，所述颗粒为金属硫化物颗粒；

或者，所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的有机磷酸，所述颗粒为金属氧化物颗粒；

或者，所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇，所述颗粒为金属硫化物颗粒。

7.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，按质量百分比计，所述金属掺杂元素占所述无机半导体纳米晶的0.5-10%；

和/或，所述金属掺杂元素选自Mg、Mn、Al、Y、V和Ni中的一种或多种；

和/或，所述无机半导体纳米晶选自ZnO颗粒、ZnS颗粒或SnO颗粒。

8.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将掺杂金属盐、阳离子前驱体和第一油溶性有机配体分散到溶剂中，在第一温度下加热，得到第一混合物，所述阳离子前驱体为金属卤化物；

将阴离子前驱体分散到溶剂中，在第二温度下加热，得到第二混合物，所述阴离子前驱体为有机醇；

在第三温度下加热所述第一混合物，在加热过程中注入所述第二混合物进行无机半导体纳米晶的晶体生长，得到所述复合材料，其中，所述第三温度高于所述第一温度和所述第二温度。

9.根据权利要求8所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述金属卤化物选自：锌元素的氯化物、溴化物和碘化物中的一种或多种；

或者，镉元素的氯化物、溴化物和碘化物中的一种或多种；

或者，锡元素的氯化物、溴化物和碘化物中的一种或多种；

或者，锗元素的氯化物、溴化物和碘化物中的一种或多种；

或者，所述第一油溶性有机配体选自碳原子数大于等于8的有机羧酸、碳原子数大于等于8的有机磷酸、碳原子数大于等于8的伯胺和支链碳原子数大于等于4的仲胺或叔胺中的一种或多种，优选的，所述第一油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的有机磷酸。

10.根据权利要求8所述的复合材料的制备方法，其特征在于，

所述第一温度为110-190℃；

和/或，所述第二温度为110-190℃；

和/或，所述第三温度为210-350℃。

11.根据权利要求10所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述第三温度为230-300℃。