[发明专利]用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法

说明书

本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为3～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前进行紫外灯照射，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。

技术领域

本发明涉及蚀刻技术领域，尤其涉及一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法。

背景技术

目前高端的液晶显示器面板普遍采用铜导线制程作为栅栏线或数据线；这是因为相较于铝金属，铜的电阻值低，加工性能优异；铜导线线宽不需要达到铝导线的宽度，可以节省溅镀靶材的材料成本，提高液晶显示器的穿透度与背光源使用效率。钼具有与玻璃等基板的密合性高、难以产生向硅半导体膜的扩散、且兼具阻挡性；因此，将包含铜、以铜为主成分的铜钼合金的层叠膜通过溅射法等成膜工艺在玻璃等基板上成膜，然后经过将抗蚀剂等作为掩膜进行蚀刻的蚀刻工序而成为电极图案。

现有的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，为了提高蚀刻铜钼合金的速度，常常加入氟化物。添加氟化物的蚀刻液对环境与器件都会产生负面影响；而且刻蚀效率低，稳定性差。随着越来越多的生产者开始使用铜钼合金膜，对加工精度的蚀刻液的需求大大增加，因此，亟需一种环境友好、生产安全、加工精度高，且易于控制的蚀刻液。

综上所述，现有的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，由于含有氟化物，在刻蚀铜钼金属膜层时，导致刻蚀效率低，进一步导致对环境与器件产生负面影响。

发明内容

本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，能够调节铜钼合金蚀刻速度，以解决现有的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，由于含有氟化物，在刻蚀铜钼金属膜层时，导致刻蚀效率低，进一步导致对环境与器件产生负面影响的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2.5～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水。

根据本发明一优选实施例，所述调节剂为胺类化合物。

根据本发明一优选实施例，所述胺类化合物选自叔丁胺、甲胺、二乙胺、苯胺、环己胺、N-甲基乙胺、N-甲基-N-乙基丙胺、N-甲基-N-乙基环丙胺、N,N-二甲基对苯二胺、N,N-二甲基苯胺、N,3-二甲基-N-乙基苯胺、2-氨基-4-甲基戊烷、3-(N-乙氨基)庚烷、N-乙基苄基胺、N,N-二甲基环己胺、N-甲基-N-环己基苄基胺、乙酰苯胺以及N-苯基苯甲胺中的至少一种。

根据本发明一优选实施例，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、双硫腙、8-羟基喹啉、邻菲咯啉、酒石酸钾铵、聚乙烯亚胺、壳聚糖、甘氨酸、赖氨酸、蛋氨酸，三乙烯四胺、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乙二胺四正丙酸、1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚以及乙二胺四甲撑膦酸中的至少一种。

根据本发明一优选实施例，所述缓冲溶液选自邻苯二甲酸氢氨-氨水缓冲溶液、枸杞酸-乙醇-氨水缓冲溶液、醋酸铵-盐酸-氨溶液、冰醋酸-氨水缓冲溶液、醋酸钠溶液、三乙胺-甲醇-磷酸溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵以及六亚甲基四胺-盐酸缓冲溶液中的任意一种。