[发明专利]用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2.5～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水。

2.根据权利要求1所述的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，所述调节剂为胺类化合物。

3.根据权利要求2所述的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，所述胺类化合物选自叔丁胺、甲胺、二乙胺、苯胺、环己胺、N-甲基乙胺、N-甲基-N-乙基丙胺、N-甲基-N-乙基环丙胺、N,N-二甲基对苯二胺、N,N-二甲基苯胺、N,3-二甲基-N-乙基苯胺、2-氨基-4-甲基戊烷、3-(N-乙氨基)庚烷、N-乙基苄基胺、N,N-二甲基环己胺、N-甲基-N-环己基苄基胺、乙酰苯胺以及N-苯基苯甲胺中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氨基三乙酸、双硫腙、8-羟基喹啉、邻菲咯啉、酒石酸钾铵、聚乙烯亚胺、壳聚糖、甘氨酸、赖氨酸、蛋氨酸，三乙烯四胺、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乙二胺四正丙酸、1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚以及乙二胺四甲撑膦酸中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，所述缓冲溶液选自邻苯二甲酸氢氨-氨水缓冲溶液、枸杞酸-乙醇-氨水缓冲溶液、醋酸铵-盐酸-氨溶液、冰醋酸-氨水缓冲溶液、醋酸钠溶液、三乙胺-甲醇-磷酸溶液、醋酸-乙醇-氢氧化铵以及六亚甲基四胺-盐酸缓冲溶液中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，所述抑制剂选自五甲烯四氮唑、2,3-二甲基-1-苯基-3-吡唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3,5-二甲基吡唑、N-乙基咔唑、2-(4-氨基苯基)-6-甲基苯并噻唑、6-硝基苯并咪唑、5-氯代苯并三氮唑、2-氨基-6-氯苯并噻唑、2-氨基噻唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基-5-硝基噻唑以及2-氨基苯并噻唑中的至少一种。

7.一种使用如权利要求1所述的蚀刻液蚀刻铜钼金属膜层的方法，其特征在于，包括：

S10，提供一基板，形成一铜钼金属膜层于所述基板上；

S20，将紫外灯照射所述蚀刻液；

S30，使用所述蚀刻液对所述铜钼金属膜层进行一图案化制程。

8.根据权利要求7所述的蚀刻液蚀刻铜钼金属膜层的方法，其特征在于，所述S20还包括：

S201，提供一蚀刻液槽，所述蚀刻液槽的边缘位置安装有紫外灯，将所述蚀刻液填充于所述蚀刻液槽中；

S202，开启所述紫外灯，对所述蚀刻液进行均匀辐照。

9.根据权利要求8所述的蚀刻液蚀刻铜钼金属膜层的方法，其特征在于，所述紫外灯产生的紫外线的波长为320纳米，所述紫外灯的辐照强度为1.5毫瓦每平方厘米。

10.根据权利要求7所述的蚀刻液蚀刻铜钼金属膜层的方法，其特征在于，所述铜钼金属膜层蚀刻后的蚀刻锥角小于或等于60°，所述铜钼金属膜层蚀刻后的边缘尺寸长度范围为1000～1200纳米。