[发明专利]具有延伸穿过导电层的竖直触点的电容器

权利要求书

1.一种集成在半导体装置中的设备，其包括：

导电材料，其位于所述设备的不同层级中；

电介质材料，其位于所述设备的不同层级中，所述导电材料中的一种在所述电介质材料的两种之间，且所述电介质材料中的一种在所述导电材料的两种之间；

第一导电触点，其具有在垂直于所述设备的所述层级的方向上延伸穿过所述导电材料和所述电介质材料的长度，且所述第一导电触点与所述导电材料电分离；

第二导电触点，其具有在垂直于所述设备的所述层级的方向上延伸穿过所述导电材料和所述电介质材料的长度，且所述第二导电触点与所述导电材料电分离；

第三导电触点，其具有在垂直于所述设备的所述层级的方向上延伸穿过所述导电材料和所述电介质材料的长度，且所述第三导电触点与所述导电材料电分离；

导电区，其所位于的层级不同于所述导电材料的层级且不同于所述电介质材料的层级，所述导电区在从所述第一导电触点至所述第二导电触点以及从所述第二导电触点至所述第三导电触点的方向上延伸，且所述导电区与所述第一导电触点、所述第二导电触点和所述第三导电触点直接接触；以及

额外导电触点，其接触所述导电材料中的一组导电材料，其中所述额外导电触点与所述第一导电触点、所述第二导电触点和所述第三导电触点电分离。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一导电触点是电容器的第一节点的部分，且所述额外导电触点是所述电容器的第二节点的部分。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外导电触点是第一额外导电触点，所述设备进一步包括：

第四导电触点，其具有在垂直于所述设备的所述层级的方向上延伸穿过所述导电材料和所述电介质材料的长度，且所述第四导电触点与所述导电材料电分离；

第二额外导电触点，其接触所述导电材料中的多种导电材料；以及

一个额外导电区，其电耦合到所述第一额外导电触点和所述第二额外导电触点，所述一个额外导电区的延伸方向垂直于从所述第一导电触点至所述第二导电触点的方向。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电区是位于所述设备的第一层级的第一导电区，所述设备进一步包括：

第二导电区，其位于所述设备的第二层级中且接触所述额外导电触点，其中所述导电材料和所述电介质材料位于所述第一层级与所述第二层级之间。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电区是位于所述设备的第一层级的第一导电区，所述设备进一步包括：

第二导电区，其位于所述设备的第二层级中且接触所述额外导电触点。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述导电材料和所述电介质材料位于所述设备的衬底上，且所述第一层级在所述衬底与所述导电材料和所述电介质材料的组合之间。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述导电材料和所述电介质材料位于所述设备的衬底上，且所述导电材料和所述电介质材料在所述第一层级与所述衬底之间。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述额外导电触点接触一组所述电介质材料。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述一组导电材料包含所有所述导电材料。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述一组导电材料包含少于所有所述导电材料的导电材料。