[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底；在基底上形成第一栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于第一栅极结构两侧；在基底表面形成覆盖源漏掺杂层的介质层；在介质层内形成暴露出源漏掺杂层的第一沟槽，第一沟槽包括第二区和位于第二区上的第一区，第一区顶部尺寸大于第一区底部尺寸，第二区最大尺寸小于等于第一区底部尺寸，第一区侧壁倾斜，第一区侧壁与基底表面之间的夹角为第一角度，第一角度为钝角；在第一沟槽第二区内形成第一导电结构；之后，在第一沟槽第一区内形成绝缘层，绝缘层材料和介质层材料不同；以绝缘层为掩膜，在介质层内形成暴露出第一栅极结构的凹槽；在凹槽内形成第二导电结构。所述方法提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。

从功能上将存储器分为随机存储器(RAM，Random Access Memory)和只读存储器(ROM，Read Only Memory)。随机存储器工作时，可以随时从任何一个指定的地址读出数据，也可以随时将数据写入任何一个指定的存储单元。随机存储器的读写操作方便，使用灵活。

随机存储器可以分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器 (DRAM)。其中，静态随机存储器利用带有正反馈的触发器来实现存储数据，主要依靠持续的供电来保持数据的完整性。静态随机存储器在使用过程中不需要刷新。静态随机存储器已被广泛应用在计算机的高速缓存和频繁的数据处理中。

然而，现有技术中静态随机存储器的电学性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一栅极结构和源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于第一栅极结构两侧；在所述基底表面形成介质层，所述介质层覆盖源漏掺杂层；在介质层内形成暴露出源漏掺杂层的第一沟槽，所述第一沟槽包括第二区和位于第二区上的第一区，所述第一区顶部尺寸大于所述第一区底部尺寸，所述第二区最大尺寸小于等于所述第一区底部尺寸，所述第一区侧壁倾斜，所述第一区侧壁与基底表面之间的夹角为第一角度，所述第一角度为钝角；在第一沟槽第二区内形成第一导电结构；形成第一导电结构后，在第一沟槽第一区内形成绝缘层，所述绝缘层材料和介质层材料不同；以绝缘层为掩膜，在介质层内形成暴露出第一栅极结构的凹槽；在所述凹槽内形成第二导电结构。

可选的，所述介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

可选的，所述绝缘层的材料包括：碳化硅、氮碳化硅或碳氧化硅。

可选的，所述相邻绝缘层之间的最小距离为60nm～80nm。

可选的，所述绝缘层边缘与同一侧的所述第一导电结构边缘的距离为 3nm～8nm。

可选的，所述第一沟槽第一区顶部尺寸与所述第一沟槽第一区底部尺寸的差为5nm～10nm。

可选的，所述第一沟槽第一区的深度与第一沟槽的深度的比例为1:4～1:3。

可选的，所述第一沟槽第一区的深度为200nm～350nm。

可选的，所述第一沟槽第二区侧壁与基底表面之间的角度为第二角度，所述第二角度小于等于第一角度。

可选的，所述第一角度的角度为95度到115度。

可选的，所述第二角度的角度为90度～115度。