[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一栅极结构和源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于第一栅极结构两侧；

在所述基底表面形成介质层，所述介质层覆盖源漏掺杂层；

在介质层内形成暴露出源漏掺杂层的第一沟槽，所述第一沟槽包括第二区和位于第二区上的第一区，所述第一区顶部尺寸大于所述第一区底部尺寸，所述第二区最大尺寸小于等于所述第一区底部尺寸，所述第一区侧壁倾斜，所述第一区侧壁与基底表面之间的夹角为第一角度，所述第一角度为钝角；在第一沟槽第二区内形成第一导电结构；

形成第一导电结构后，在第一沟槽第一区内形成绝缘层，所述绝缘层材料和介质层材料不同；

以绝缘层为掩膜，在介质层内形成暴露出第一栅极结构的凹槽；

在所述凹槽内形成第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：碳化硅、氮碳化硅或碳氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述相邻绝缘层之间的最小距离为60nm～80nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述绝缘层边缘与同一侧的所述第一导电结构边缘的距离为3nm～8nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽第一区顶部尺寸与所述第一沟槽第一区底部尺寸的差为5nm～10nm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽第一区的深度与第一沟槽的深度的比例为1:4～1:3。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽第一区的深度为200nm～350nm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽第二区侧壁与基底表面之间的角度为第二角度，所述第二角度小于等于第一角度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一角度的角度为95度到115度。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二角度的角度为90度～115度。

12.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一角度与第二角度相等；所述第一沟槽的形成方法包括：对介质层进行第一刻蚀，在介质层内形成第一沟槽，所述第一沟槽侧壁倾斜，所述第一沟槽侧壁与基底表面之间的角度为第一角度。

13.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二角度小于第一角度；所述第一沟槽和第一导电结构的形成方法包括：在介质层内形成初始第一沟槽，所述初始第一沟槽暴露出源漏掺杂层，所述初始第一沟槽侧壁与基底表面之间的角度为第二角度；在所述初始第一沟槽内形成第一导电结构，所述第一导电结构顶部表面低于介质层顶部表面，第一导电结构暴露出来的初始第一沟槽为初始第一沟槽顶部区；形成第一导电结构后，对初始第一沟槽顶部区两侧的介质层顶部和侧壁进行第二刻蚀，使得初始第一沟槽顶部区侧壁倾斜，形成第一沟槽第一区，所述第一沟槽第一区底部表面与第一导电结构顶部表面齐平，所述第一沟槽第一区侧壁与基底表面之间的角度为第一角度，所述第一角度大于所述第二角度，所述第一区顶部尺寸大于所述第一区底部尺寸。