[发明专利]包括恒定地控制感测操作的位线读出放大器的存储器装置有效
申请号: | 201810959564.6 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN109559771B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 李玟洙;金宗哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4091 | 分类号: | G11C11/4091 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;赵南 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 恒定 控制 操作 读出 放大器 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,包括:
多个存储器单元块,其中每个存储器单元块包括多个存储器单元;
多个位线读出放大器块,其排列在所述多个存储器单元块之间,并且包括执行用于感测和放大所述存储器单元的数据的感测操作的位线读出放大器;以及
感测匹配控制电路,其连接至一个或多个位线读出放大器块,并且确定分别供应至第一感测驱动电压线和第二感测驱动电压线的电流的水平,其中,所述第一感测驱动电压线和所述第二感测驱动电压线连接至所述一个或多个位线读出放大器块的与所述感测匹配控制电路连接的位线读出放大器,
其中,基于所述第一感测驱动电压线和所述第二感测驱动电压线的电流的水平来驱动所述一个或多个位线读出放大器块的位线读出放大器,所述电流的水平由所述感测匹配控制电路确定,
其中,所述感测匹配控制电路包括:
第一电流源;
第一感测驱动电压驱动器;以及
第一比较器,其接收连接在所述第一电流源和所述第一感测驱动电压驱动器的输入端子之间的第一节点的第一内部电压以及第一参考电压,以输出第一感测驱动控制信号,
其中,所述第一感测驱动电压驱动器基于所述第一感测驱动控制信号将所述第一内部电压提供到所述第一感测驱动电压线和所述第二感测驱动电压线中的给定的感测驱动电压线。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述感测匹配控制电路包括电压分配器,所述电压分配器包括串联连接的电阻器和与所述电阻器并联连接的熔丝,其中
所述电压分配器基于所述熔丝是否被切断来存储感测驱动控制信号,并且
响应于所述感测驱动控制信号来确定分别供应至所述第一感测驱动电压线和所述第二感测驱动电压线的电流的水平。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,所述感测匹配控制电路在所述位线读出放大器的感测操作之前将所述感测驱动控制信号存储在所述电压分配器中。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,在制造所述存储器装置的处理中,将所述感测驱动控制信号存储在所述电压分配器中。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,
所述第一电流源连接至第一内部电压线;
所述第一比较器将所述第一内部电压线的所述第一内部电压的电平与所述第一参考电压的电平进行比较,并且当所述第一内部电压的电平等于所述第一参考电压的电平时产生所述第一感测驱动控制信号;以及
所述第一感测驱动电压驱动器响应于所述第一感测驱动控制信号而将所述第一内部电压线与所述第一感测驱动电压线连接,并且基于所述第一感测驱动电压线的确定的电流水平来驱动所述第一感测驱动电压线。
6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述第一感测驱动电压驱动器包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管包括连接至提供所述第一感测驱动控制信号的节点的栅极,并且连接在所述第一内部电压线与所述第一感测驱动电压线之间。
7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述第一感测驱动电压驱动器包括PMOS晶体管,所述PMOS晶体管包括连接至提供所述第一感测驱动控制信号的节点的栅极,并且连接在所述第一内部电压线与所述第一感测驱动电压线之间。
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,
所述第一电流源连接至第一内部电压线;
所述第一比较器将所述第一内部电压线的所述第一内部电压的电平与所述第一参考电压的电平进行比较,并且当所述第一内部电压的电平等于所述第一参考电压的电平时产生所述第一感测驱动控制信号;以及
所述第一感测驱动电压驱动器响应于所述第一感测驱动控制信号而将所述第一内部电压线与所述第二感测驱动电压线连接,并且基于所述第二感测驱动电压线的确定的电流水平来驱动所述第二感测驱动电压线。
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