[发明专利]一种APU-Al高频高介电低损耗材料及其制备方法有效
申请号: | 201810931063.7 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109251514B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 张子栋;王忠阳;范润华;刘峣 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C08L75/14 | 分类号: | C08L75/14;C08K3/08 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 郑平 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 apu al 高频 高介电低 损耗 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种APU‑Al高频高介电低损耗材料的制备方法,属于介电材料技术领域。所述方法包括如下步骤:(1)将Al粉加热,保证钝化膜氧化铝的产生,备用;(2)将步骤(1)中的Al粉和丙烯酸聚氨酯前驱体混合,并超声分散,使得铝粉均一分布到丙烯酸聚氨酯前驱体中;(3)向步骤(2)中继续加入丙烯酸聚氨酯前驱体的固化剂,搅拌混合后超声分散;然后将得到的混合浆料喷涂到基板上,得到树脂膜;(4)对步骤(3)中的树脂膜进行固化,保证丙烯酸聚氨酯的原位聚合反应,得到APU‑Al高频高介电低损耗材料。本发明制备的高频高介电低损耗材料介电常数高、低介电损耗,且工艺简便、制造成本低。
技术领域
本发明涉及介电材料技术领域,具体涉及一种高频高介电低损耗材料及其制备方法。
背景技术
高介电低损耗材料是电容器制备的关键。随着当今电子信息和微波通信技术不断朝着高频化发展,电容器的应用频段也在不断提高。由于电介质材料的弛豫特性,介电常数随着频率增加而降低,尤其在高频介电常数剧烈下降,因此在高频实现高介电一直制约着电容器材料的发展。此外电子器件越来越小型化,这就要求在更小的体积具有更高的电容,因此提高介电常数也是实现电容器小型化的关键技术。
近年来,树脂材料因为具有高的击穿场强且兼顾柔性和良好的力学性能,广泛应用于薄膜电容器、储能电容器领域。然而树脂一般介电常数低(小于10)制约着其进一步发展。采用逾渗理论,在树脂中加入金属、碳材料等导电相,当导电相体积分数接近逾渗阈值时,介电常数可以大幅提高,但也伴随着损耗的剧烈上升。对金属导电相进行绝缘包覆,可以在一定程度上降低损耗。利用金属铝(Al)的自钝化特点,在表面形成氧化铝绝缘层,这既能增加界面极化同时降低介电损耗,是一种提高介电常数降低介电损耗的新方法,对电容器高频化,小型化具有重要意义。因此,有必要基于Al的自钝化特点,研究一种新的高频高介电低损耗材料的制备方法。
发明内容
针对上述现有技术中存在的问题,本发明旨在提供一种APU-Al高频高介电低损耗材料及其制备方法。本发明以铝粉(Al)为功能相,以密度轻,抗腐蚀性能良好、力学性能优良的丙烯酸聚氨酯(APU)作为树脂基体,制备的高频高介电低损耗材料介电常数高、低介电损耗,同时本发明还具有工艺简便、制造成本低的特点。
本发明的目的之一是提供一种APU-Al高频高介电低损耗材料的制备方法。
本发明的目的之二是提供一种APU-Al高频高介电低损耗材料。
本发明的目的之三是提供APU-Al高频高介电低损耗材料的应用。
为实现上述发明目的,具体的,本发明公开了下述技术方案:
首先,本发明公开了一种APU-Al高频高介电低损耗材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将Al粉加热,保证钝化膜氧化铝的产生,备用;
(2)将步骤(1)中的Al粉和丙烯酸聚氨酯前驱体混合,并超声分散,使得铝粉均一分布到丙烯酸聚氨酯前驱体中;
(3)向步骤(2)中继续加入丙烯酸聚氨酯前驱体的固化剂,搅拌混合后超声分散;然后将得到的混合浆料喷涂到基板上,得到树脂膜;
(4)对步骤(3)中的树脂膜进行固化,保证丙烯酸聚氨酯的原位聚合反应,得到APU-Al高频高介电低损耗材料。
步骤(1)中,所述Al粉加热的加热温度为120℃,时间为0.5h。由于铝粉加热容易自燃引起事故,因此,本发明将Al粉的加热设置为在为120℃加热0.5h,这样既能够避免铝粉的自燃,又能够得到致密、完整、均匀的氧化膜。
优选的,所述述Al粉加热的加热温度为200℃。
优选的,步骤(2)中,所述Al粉和丙烯酸聚氨酯前驱体的质量百分比为(2-5):1。
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