[发明专利]一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法在审
申请号: | 201810921218.9 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN108777914A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 郑翰;董仕晋;班茹悦;于洋;刘静 | 申请(专利权)人: | 北京梦之墨科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H05K3/28 |
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地址: | 100081 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低熔点金属 封装结构 保护层 隔离层 封装 线路接触 水蒸汽 粘接层 变形 电子封装技术 隔绝空气 基材 粘接 应用 覆盖 | ||
1.一种封装结构,用于对基材上的低熔点金属线路进行封装,其特征在于,所述封装结构包括:依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层;其中,所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触,所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形,所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层,所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,按重量百分比计,所述保护层由85%~99%胶料、0%~15%稀释剂、0%~10%催干剂和0%~1%消泡剂组成;按重量百分比计,所述粘接层由85%~99%胶料、0%~15%稀释剂、0%~10%催干剂和0%~1%消泡剂组成;按重量百分比计,所述隔离层由85%~99%胶料、0%~15%稀释剂、0%~10%催干剂和0%~1%消泡剂组成。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述保护层中的胶料为聚氯酯或者丙烯酸类胶黏剂。
4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述粘接层中的胶料为环氧树脂、聚氯酯或者聚脲类胶黏剂。
5.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述隔离层中的胶料为聚氯酯清漆、有机硅灌封胶或者乳胶漆。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括位于所述基材与所述低熔点金属线路之间的至少一层底胶层,所述底胶层用于粘附所述低熔点金属线路且隔绝空气和水蒸汽。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,按重量百分比计,所述底胶层由85%~99%胶料、0%~15%稀释剂、0%~10%催干剂和0%~1%消泡剂组成。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述底胶层中的胶料为聚二氯乙烯、VAE乳液或者乳胶漆。
9.一种低熔点金属器件,其特征在于,包括基材、位于所述基材上的低熔点金属线路,以及如权利要求1~8任一项所述的封装结构。
10.一种封装方法,其特征在于,包括:
步骤S1、提供一基材,所述基材上形成有低熔点金属线路;
步骤S2、在所述基材上喷涂保护层对应材料,使其完全固化形成所述保护层;
步骤S3、在所述保护层上喷涂、刷涂或辊涂粘接层对应材料,使其完全固化形成一层所述粘接层,执行以上过程至少一次,以形成至少一层所述粘接层;
步骤S4、在至少一层所述粘接层上喷涂隔离层对应材料,使其完全固化形成所述隔离层。
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