[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法有效
申请号: | 201810878142.6 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN108962967B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 卜倩倩;胡伟频 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 控制 | ||
本发明是关于一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法,属于显示技术领域。所述方法包括:以硅片为衬底,在硅片的一侧形成多个MOS管;在硅片形成多个MOS管的一侧形成多个OLED;在多个OLED远离硅片的一侧设置透明盖板;以透明盖板为衬底,对硅片的另一侧进行减薄处理;以透明盖板为衬底,在减薄处理后的硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒,LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元;其中,多个MOS管包括用于控制OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制液晶显示单元的工作状态的第二MOS管,第一MOS管和第二MOS管分时导通。本发明实现了显示面板在不同亮度的环境光下拥有良好的显示效果。本发明用于显示面板制造。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法。
背景技术
有机发光二极管(英文:Organic Light Emitting Diode;简称:OLED)作为一种自发光器件,因其所具有的低能耗、响应快、宽视角等特点而越来越多地被应用于显示领域当中。
在高亮环境中,如在阳光照射下,显示面板的显示亮度需要达到至少5000cd/m2才能拥有良好的显示效果,但是目前OLED显示面板的显示亮度一般为150cd/m2,因此,在高亮环境中该显示面板的显示效果较差。
发明内容
为了解决显示面板在高亮环境中显示效果较差的问题,本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法。所述技术方案如下:
根据本发明实施例的第一方面,提供一种显示面板的制造方法,包括:
以硅片为衬底,在所述硅片的一侧形成多个MOS管;
在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED;
在所述多个OLED远离所述硅片的一侧设置透明盖板;
以所述透明盖板为衬底,对所述硅片的另一侧进行减薄处理;
以所述透明盖板为衬底,在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒,所述LCOS液晶盒包括多个液晶显示单元;
其中,所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通。
可选的,所述显示面板具有多个子像素区域,每个所述子像素区域上设置有一个所述OLED、一个所述液晶显示单元、所述第一MOS管和所述第二MOS管,每个所述子像素区域上还设置有用于控制所述OLED的驱动MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管分别为NMOS管和PMOS管中的一个,所述驱动MOS管为NMOS管和PMOS管中的一种。
可选的,所述以硅片为衬底,在所述硅片的一侧形成多个MOS管,包括:
通过两次离子注入工艺,在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个有源层注入区域,所述三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域,或者,所述三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域;
在所述硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层远离所述硅片的一侧形成栅极图形,所述栅极图形包括多个栅极,每个栅极位于一个有源层注入区域内;
通过两次离子注入工艺,在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个源漏极注入区域,每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。
可选的,在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED之前,所述方法还包括:
在所述栅极图形远离所述硅片的一侧形成第一平坦层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的