[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置及显示控制方法

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管；

在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED；

在所述多个OLED远离所述硅片的一侧设置透明盖板；

以所述透明盖板为衬底，对所述硅片的另一侧进行减薄处理；

以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，所述LCOS液晶盒包括用于发射光线的前置光源和多个液晶显示单元，形成的显示面板的出光面为所述LCOS液晶盒所在侧；

其中，所述多个MOS管包括用于控制所述OLED的工作状态的第一MOS管和用于控制所述液晶显示单元的工作状态的第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分时导通；

所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成液晶附硅LCOS液晶盒，包括：

以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，所述透明电极通过过孔与所述第二MOS管的第二极连接，所述第二极为所述第二MOS管的源极或漏极；

在所述透明电极远离所述硅片的一侧形成液晶层和透明基板，其中，所述透明电极的折射率小于所述液晶层的折射率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述显示面板具有多个子像素区域，每个所述子像素区域上设置有一个所述OLED、一个所述液晶显示单元、所述第一MOS管和所述第二MOS管，每个所述子像素区域上还设置有用于控制所述OLED的驱动MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分别为NMOS管和PMOS管中的一个，所述驱动MOS管为NMOS管和PMOS管中的一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述以硅片为衬底，在所述硅片的一侧形成多个MOS管，包括：

通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个有源层注入区域，所述三个有源层注入区域包括两个P肼区域和一个N肼区域，或者，所述三个有源层注入区域包括两个N肼区域和一个P肼区域；

在所述硅片上形成有有源层注入区域的一侧形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述硅片的一侧形成栅极图形，所述栅极图形包括多个栅极，每个栅极位于一个有源层注入区域内；

通过两次离子注入工艺，在所述硅片的每个所述子像素区域上形成三个源漏极注入区域，每个源漏极注入区域包括位于一个栅极两侧的源极区域和漏极区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED之前，所述方法还包括：

在所述栅极图形远离所述硅片的一侧形成第一平坦层；

在所述第一平坦层远离所述硅片的一侧形成透明导电图案，所述透明导电图案包括位于每个所述子像素区域中的相互绝缘的第一子图案和第二子图案，所述第一子图案通过三个过孔分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极和所述驱动MOS管的第一极连接，所述第二子图案通过过孔与所述第二MOS管的第一极连接；

在所述导电图案远离所述硅片的一侧形成第二平坦层；

所述在所述硅片形成所述多个MOS管的一侧形成多个OLED，包括：

在所述第二平坦层远离所述硅片的一侧形成所述多个OLED，每个所述OLED通过过孔与所述第一MOS管的第二极连接，所述第一极和所述第二极分别为源极和漏极中的一个。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，每个所述子像素区域包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域上设置有MOS管，

所述以所述透明盖板为衬底，在减薄处理后的所述硅片的另一侧形成透明电极，包括：

去除所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧显示区域上的所有膜层，使得所述第二平坦层靠近所述硅片的一侧形成多个凹槽，所述所有膜层包括减薄处理后的所述硅片；

采用透光胶体填充所述多个凹槽；

以所述透明盖板为衬底，在进行凹槽填充后的所述硅片的另一侧形成所述透明电极。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，

所述减薄处理包括：依次执行的研磨处理、抛光处理和刻蚀处理。