[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201810873521.6 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108962966A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 唐霞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关薄膜晶体管 驱动薄膜晶体管 背板 栅绝缘层 亚阈值摆幅 介电常数 显示装置 像素单元 栅极电容 电路工作电压 灰阶电压 灰阶 制作 电路 | ||
本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。所述显示背板包括多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管中的第一栅绝缘层的厚度等于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的厚度,且所述驱动薄膜晶体管的第一栅绝缘层的介电常数小于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的介电常数。由此,在该显示背板中,驱动薄膜晶体管具有较小的栅极电容,较大的亚阈值摆幅,更有利于该显示背板实现不同灰阶电压的设置,以便更好的控制不同灰阶的显示,和/或开关薄膜晶体管具有较大的栅极电容,较小的亚阈值摆幅,有利于降低电路工作电压以及提高电路工作速度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及显示背板及其制作方法和显示装置。
背景技术
OLED器件的基本结构是由一薄而透明具半导体特性的正极铟锡氧化物(ITO)、一个金属阴极和发光层包成如三明治的结构,发光层包括:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当给正极和负极施加一定电压,发光层就会产生光亮,并依其配方不同产生红(R)、绿(G)和蓝(B)三基色,构成基本色彩。OLED器件的特性是自己发光,不像TFTLCD需要背光,因此可视度和亮度均高,其次是电压需求低且省电效率高,加上反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等,被视为21世纪最具前途的产品之一。但是,在OLED器件的显示背板结构的设计上仍有许多不足之处,仍需进一步改进,以此来提高OLED器件的显示效果。
因此,关于显示背板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种显示背板,该显示背板更有利于实现不同灰阶电压的设置,以便更好的控制不同灰阶的显示,或者降低电路工作电压以及提高电路工作速度。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种显示背板。根据本发明的实施例,所述显示背板包括多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管中的第一栅绝缘层的厚度等于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的厚度,且所述驱动薄膜晶体管的第一栅绝缘层的介电常数小于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的介电常数。由此,在该显示背板中,驱动薄膜晶体管具有较小的栅极电容,较大的亚阈值摆幅,更有利于该显示背板实现不同灰阶电压的设置,以便更好的控制不同灰阶的显示,和/或开关薄膜晶体管具有较大的栅极电容,较小的亚阈值摆幅,有利于降低电路工作电压以及提高电路工作速度。
根据本发明的实施例,所述第一栅绝缘层为一层或多层;所述第二栅绝缘层为一层或多层。
根据本发明的实施例,形成所述第一栅绝缘层的材料选自氮化硅和氧化硅中的至少一种,形成所述第二栅绝缘层的材料选自氮化硅和氧化硅中的至少一种。
根据本发明的实施例,所述第一栅绝缘层为一层,所述第二栅极绝缘层为两层,所述第一栅极绝缘层和所述第二栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第二栅绝缘层的上层位于所述第二栅绝缘层的下层的第一凹槽内,并与所述第一栅极绝缘层上表面平齐。。
根据本发明的实施例,所述第一栅绝缘层为一层,所述第二栅绝缘层为一层,其中,所述第二栅绝缘层包括基体相和分散在所述基体相中的分散相,其中,所述基体相和所述分散相中一个由氧化硅形成,另一个由氮化硅形成。
根据本发明的实施例,所述第二栅绝缘层为一层,所述第一栅绝缘层为两层,所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第一栅绝缘层的上层位于所述第一栅绝缘层的下层的第二凹槽内,并与所述第二栅绝缘层上表面齐平。
根据本发明的实施例,所述第一栅绝缘层为两层,所述第二栅绝缘层为两层,所述第一栅绝缘层的下层与所述第二栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第一栅绝缘层的上层位于所述第一栅绝缘层的下层的第三凹槽内,所述第二栅绝缘层的上层位于所述第二栅绝缘层的下层的第四凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的