[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201810873521.6 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108962966A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 唐霞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关薄膜晶体管 驱动薄膜晶体管 背板 栅绝缘层 亚阈值摆幅 介电常数 显示装置 像素单元 栅极电容 电路工作电压 灰阶电压 灰阶 制作 电路 | ||
1.一种显示背板,包括多个像素单元,每个所述像素单元包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管的第一栅绝缘层的厚度等于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的厚度,且所述驱动薄膜晶体管的第一栅绝缘层的介电常数小于所述开关薄膜晶体管的第二栅绝缘层的介电常数。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,所述第一栅绝缘层为一层或多层;所述第二栅绝缘层为一层或多层。
3.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,形成所述第一栅绝缘层的材料选自氮化硅和氧化硅中的至少一种,形成所述第二栅绝缘层的材料选自氮化硅和氧化硅中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第一栅绝缘层为一层,所述第二栅极绝缘层为两层,所述第一栅极绝缘层和所述第二栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第二栅绝缘层的上层位于所述第二栅绝缘层的下层的第一凹槽内,并与所述第一栅极绝缘层上表面平齐。
5.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第一栅绝缘层为一层,所述第二栅绝缘层为一层,其中,所述第二栅绝缘层包括基体相和分散在所述基体相中的分散相,其中,所述基体相和所述分散相中一个由氧化硅形成,另一个由氮化硅形成。
6.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第二栅绝缘层为一层,所述第一栅绝缘层为两层,所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第一栅绝缘层的上层位于所述第一栅绝缘层的下层的第二凹槽内,并与所述第二栅绝缘层上表面齐平。
7.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第一栅绝缘层为两层,所述第二栅绝缘层为两层,所述第一栅绝缘层的下层与所述第二栅绝缘层的下层同工艺形成,所述第一栅绝缘层的上层位于所述第一栅绝缘层的下层的第三凹槽内,所述第二栅绝缘层的上层位于所述第二栅绝缘层的下层的第四凹槽内。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示背板。
9.一种制作权利要求1-7任一项所述的显示背板的方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成多个像素单元,形成每个所述像素单元包括形成驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层是通过以下方法形成的:
在所述衬底上形成所述驱动薄膜晶体管的有源层作为第一有源层,形成所述开关薄膜晶体管的有源层作为第二有源层;
在所述衬底上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第二有源层;
在所述第二有源层对应的所述第一绝缘层的上方区域形成第五凹槽;
在所述第一绝缘层的表面上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层填充所述第五凹槽;
去除所述第五凹槽之外的所述第二绝缘层,以便得到所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其特征在于,在所述衬底上形成所述驱动薄膜晶体管的有源层作为所述第一有源层,形成所述开关薄膜晶体管的有源层作为所述第二有源层;
在所述衬底上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一有源层和所述第二有源层;
在所述第一有源层对应的所述第一绝缘层的上方区域形成第六凹槽;
在所述第一绝缘层的表面上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层填充所述第六凹槽;
去除所述第六凹槽之外的所述第二绝缘层,以便得到所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的