[发明专利]闪存芯片的控制方法、终端有效
申请号: | 201810872085.0 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN109273035B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 王绍迪;郭昕婕 | 申请(专利权)人: | 北京知存科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/04 |
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地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 芯片 控制 方法 终端 | ||
本发明实施例提供一种闪存芯片的控制方法、终端,涉及闪存技术领域,可以在闪存芯片中直接进行数据的计算,从而分担了处理器的工作,进而提高了整体计算体系结构的性能。闪存芯片的控制方法包括:响应于控制命令中的计算指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行计算;响应于控制命令中的闪存编程指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行数据的写入或擦除;响应于控制命令中的读取指令,基于地址信号对闪存模块中的数据进行读取。
技术领域
本发明涉及闪存技术领域,尤其涉及一种闪存芯片的控制方法、终端。
背景技术
闪存芯片是一种非易失性存储器,在冯诺依曼计算体系结构中,闪存芯片与处理器相互独立,两者之间通过数据总线进行连接,处理器先从闪存芯片中读取数据,然后对数据进行处理,再把处理完成的数据写入闪存芯片中。随着大数据应用的兴起,海量数据的传输与处理使得经典冯诺依曼计算体系结构面临性能挑战。
发明内容
本发明实施例提供一种闪存芯片的控制方法、装置及终端,可以控制闪存芯片进行计算、数据的写入、擦除和读取,从而能够分担处理器的工作,能够提高整体计算体系结构的性能。
为实现上述效果,本发明采用如下技术方案:
一种闪存芯片的控制方法,闪存芯片包括由多个可编程半导体器件组成的闪存模块,闪存芯片的控制方法包括:
接收控制命令、待处理数据及地址信号,控制命令包括:计算指令、闪存编程指令、读取指令中的任一个;
响应于控制命令中的计算指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行计算,产生计算结果;
响应于控制命令中的闪存编程指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行数据的写入或擦除;
响应于控制命令中的读取指令,基于地址信号对闪存模块中的数据进行读取,得到读取数据。
一实施例中,闪存芯片还包括:编程模块、行列译码器,
响应于控制命令中的闪存编程指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行数据的写入或擦除,包括:
响应于控制命令中的闪存编程指令,控制编程模块和行列译码器,行列译码器基于地址信号选通待编程的可编程半导体器件,编程模块基于待处理数据对选通的待编程的可编程半导体器件进行数据写入或擦除,实现数据存储或计算函数编程。
一实施例中,闪存芯片还包括:计算辅助模块,
响应于控制命令中的计算指令,基于地址信号控制闪存模块对待处理数据进行计算,包括:响应于控制命令中的计算指令,控制计算辅助模块和行列译码器,行列译码器基于地址信号选通用于计算的可编程半导体器件,计算辅助模块将待处理数据进行预设处理后输至选通的用于计算的可编程半导体器件,并控制闪存模块通过计算函数执行计算,得到计算结果。
一实施例中,闪存芯片还包括:读出模块,
响应于控制命令中的读取指令,基于地址信号对闪存模块中的数据进行读取,包括:响应于控制命令中的读取指令,控制读出模块和行列译码器,行列译码器基于地址信号选通待读取的可编程半导体器件,读出模块读出选通的待读取的可编程半导体器件中的数据。
一实施例中,控制方法还包括:
将计算结果或读取数据通过主设备输出/从设备输入数据线发送至一微处理器。
一实施例中,控制方法还包括:
通过一使能信号数据线接收一微处理器发送的使能信号;
判断使能信号的类型,若使能信号为高电平使能信号,则结束控制;若使能信号为低电平使能信号,则通过一串行时钟数据线接收微处理器发送的时钟信号。
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