[发明专利]闪存芯片的控制方法、终端有效

专利信息
申请号: 201810872085.0 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN109273035B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 王绍迪;郭昕婕 申请(专利权)人: 北京知存科技有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 闪存 芯片 控制 方法 终端
【权利要求书】:

1.一种闪存芯片的控制方法,其特征在于,

所述闪存芯片包括由多个可编程半导体器件组成的闪存模块,所述闪存芯片的控制方法包括:

接收控制命令、待处理数据及地址信号,所述控制命令包括:计算指令、闪存编程指令、读取指令中的任一个;

响应于所述控制命令中的所述计算指令,基于所述地址信号控制所述闪存模块对所述待处理数据进行计算,产生计算结果;

响应于所述控制命令中的所述闪存编程指令,基于所述地址信号控制所述闪存模块对待处理数据进行数据的写入或擦除;

响应于所述控制命令中的所述读取指令,基于所述地址信号对所述闪存模块中的数据进行读取,得到读取数据。

2.根据权利要求1所述控制方法,其特征在于,所述闪存芯片还包括:编程模块、行列译码器,

所述响应于所述控制命令中的闪存编程指令,基于所述地址信号控制所述闪存模块对所述待处理数据进行数据的写入或擦除,包括:

响应于所述控制命令中的所述闪存编程指令,控制所述编程模块和所述行列译码器,所述行列译码器基于所述地址信号选通待编程的可编程半导体器件,所述编程模块基于待处理数据对选通的待编程的可编程半导体器件进行数据写入或擦除,实现数据存储或计算函数编程。

3.根据权利要求2所述控制方法,其特征在于,所述闪存芯片还包括:计算辅助模块,

响应于所述控制命令中的所述计算指令,基于地址信号控制所述闪存模块对所述待处理数据进行计算,包括:响应于所述控制命令中的所述计算指令,控制所述计算辅助模块和所述行列译码器,所述行列译码器基于所述地址信号选通用于计算的可编程半导体器件,所述计算辅助模块将所述待处理数据进行预设处理后输至选通的用于计算的可编程半导体器件,并控制所述闪存模块通过计算函数执行计算,得到计算结果。

4.根据权利要求3所述控制方法,其特征在于,所述闪存芯片还包括:读出模块,

所述响应于所述控制命令中的所述读取指令,基于所述地址信号对所述闪存模块中的数据进行读取,包括:响应于所述控制命令中的所述读取指令,控制所述读出模块和所述行列译码器,所述行列译码器基于所述地址信号选通待读取的可编程半导体器件,所述读出模块读出选通的待读取的可编程半导体器件中的数据。

5.根据权利要求4所述控制方法,其特征在于,还包括:

将所述计算结果或所述读取数据通过主设备输出/从设备输入数据线发送至一微处理器。

6.根据权利要求5所述控制方法,其特征在于,还包括:

通过一使能信号数据线接收一微处理器发送的使能信号;

判断所述使能信号的类型,若所述使能信号为高电平使能信号,则结束控制;若所述使能信号为低电平使能信号,则通过一串行时钟数据线接收所述微处理器发送的时钟信号。

7.根据权利要求6所述控制方法,其特征在于,所述接收控制命令、待处理数据及地址信号,包括:

通过主设备输入/从设备输出数据线接收一微处理器发送的控制命令、待处理数据及地址信号。

8.根据权利要求1至7任一项所述控制方法,其特征在于,所述可编程半导体器件采用浮栅晶体管。

9.一种终端,其特征在于,包括:微处理器以及通过接口数据线连接所述微处理器的闪存芯片,所述闪存芯片包括由多个可编程半导体器件组成的闪存模块、编程模块、行列译码器、计算辅助模块以及读出模块,闪存芯片用于执行如权利要求1至8任一项所述控制方法。

10.根据权利要求9所述终端,其特征在于,所述接口数据线包括:

串行时钟数据线,用于所述微处理器向所述闪存芯片传输时钟信号;

主设备输入/从设备输出数据线,用于所述微处理器向所述闪存芯片传输控制命令、待处理数据及地址信号,所述控制命令包括:计算指令、闪存编程指令、读取指令中的任一个;

主设备输出/从设备输入数据线,用于所述闪存芯片向所述微处理器传输信号;

使能信号数据线,用于所述微处理器向所述闪存芯片传输使能信号。

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