[发明专利]一种化学气相沉积设备有效
申请号: | 201810870832.7 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108866505B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 闵聪;金映秀 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/02;C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 设备 | ||
本申请公开了一种化学气相沉积设备,包括:腔室、支撑基座和喷头组件;支撑基座位于腔室内,用于支撑镀膜组件;喷头组件用于向腔室内喷入清洗气体,且包括第一喷头和第二喷头;其中,第一喷头位于腔室的顶壁,第二喷头位于腔室的侧壁。通过上述方式,本申请能够增强清洗效果,降低颗粒风险。
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种化学气相沉积设备。
背景技术
有机发光显示器(Organic Light Emitting Display,OLED)因其优异的高对比度,高亮度,不需要背光,可柔性化等特性,成为当前具有前景的一种显示技术。当前的柔性显示使用的是有机/无机叠层的薄膜封装结构,对OLED器件进行封装。其中无机层主要使用等离子强化化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)方式进行成膜。PECVD具有较高的成膜效率,台阶覆盖(step coverage)等特性。
如图1所示,目前PECVD采用的自清洗方式,是通过一个设置于腔室顶壁的远程等离子源清洗(Remote Plasma Source Cleaning,RPSC)系统,产生等离子气体对腔室进行清洗。清洗等离子体通过喷头进入腔室对整个腔室进行清洗。然而,由于阴影框(shadowframe)的阻挡,等离子气体不能对掩膜框(mask frame)进行充分的清洗,例如图1中虚线圈内的位置难以得到充分清洗,容易残留颗粒(particle),影响后续镀膜。
本申请主要解决的技术问题是提供一种化学气相沉积设备,能够增强清洗效果,降低颗粒风险。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种化学气相沉积设备,包括:腔室、支撑基座和喷头组件;支撑基座位于腔室内,用于支撑镀膜组件;喷头组件用于向腔室内喷入清洗气体,且包括第一喷头和第二喷头;其中,第一喷头位于腔室的顶壁,第二喷头位于腔室的侧壁。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请的部分实施例中化学气相沉积设备包括:腔室、支撑基座和喷头组件;支撑基座位于腔室内,用于支撑镀膜组件;喷头组件用于向腔室内喷入清洗气体,且包括第一喷头和第二喷头;其中,第一喷头位于腔室的顶壁,第二喷头位于腔室的侧壁,从而利用位于腔室顶壁和侧壁的第一喷头和第二喷头从不同方向喷入清洗气体,不仅可以从正面清洗设备,还可以从侧面清洗设备,进而可以清洗到被阴影框/掩膜框等遮挡的位置,增强清洗效果,降低颗粒风险。
附图说明
图1是现有化学气相沉积设备的结构示意图;
图2是本申请化学气相沉积设备第一实施例的结构示意图;
图3是本申请化学气相沉积设备第一实施例另一应用场景的示意图;
图4是本申请化学气相沉积设备第二实施例的结构示意图;
图5是本申请化学气相沉积设备第二实施例中支撑组件包括第二支撑机构的结构示意图;
图6是本申请化学气相沉积设备第二实施例另一应用场景的示意图;
图7是本申请化学气相沉积设备第二实施例中第二支撑机构采用与第一支撑机构类似结构时的结构示意图;
图8是本申请化学气相沉积设备第三实施例的结构示意图;
图9是本申请化学气相沉积设备第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的