[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有第一电极层，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案，所述第一电极层和所述辅助电极图案之间设置有隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接。本发明所提供的显示面板及其制备方法、显示装置，能够有效提升透明阴极的导电率，改善IR Drop现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示器件以其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度和可柔性显示等一系列优点，成为极具竞争力和发展前景的下一代显示器件。

相较于底发射型OLED显示器件，顶发射型OLED显示器件具有更大的开口率和更低的功耗等优点，广泛应用于手机等小尺寸屏幕显示。对于顶发射型OLED显示器件，由于需要兼顾透光率，因此透明阴极的厚度往往较薄，使得透明阴极的导电能力较差；且在大尺寸屏幕显示领域中，通常采用白光OLED(WOLED)、CF路线及开放式掩膜板(OPEN MASK)等技术制作顶发射型OLED显示器件，但由于透明阴极的大尺寸化制作工艺难度较大等工艺特性的存在，使得制作出的顶发射型OLED显示器件的中心区域和边缘区域的厚度存在差别，容易造成屏幕中心和边缘存在电压降(IR Drop)的问题，极大地影响了顶发射型OLED显示器件的效能和寿命。

因此，现有技术中的顶发射型OLED显示器件，透明阴极的导电能力较差，且容易产生IR Drop的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，用于有效提升透明阴极的导电率，改善IR Drop现象。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，该显示面板包括相对设置的第一基底和第二基底，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧设置有第一电极层，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧设置有辅助电极层，所述辅助电极层包括至少一个辅助电极图案，所述第一电极层和所述辅助电极图案之间设置有隔垫物层，所述隔垫物层中设置有与辅助电极图案对应的导电结构，所述辅助电极图案通过对应的所述导电结构与所述第一电极层连接。

可选地，所述导电结构包括带电纳米粒子。

可选地，所述显示面板为顶发射型OLED显示面板。

可选地，所述第一基底包括像素区域和非像素区域，所述第一基底的靠近所述第二基底的一侧还设置有第二电极层、多个像素界定图案和有机发光层，所述像素界定图案对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述像素界定图案之间限定出所述像素区域，所述有机发光层位于所述第二电极层和所述第一电极层之间，所述第二电极层和所述有机发光层位于所述像素区域。

可选地，所述有机发光层位于所述第二电极层的远离所述第一基底的一侧，所述第一电极层位于所述像素界定图案和所述有机发光层的远离所述第一基底的一侧且至少覆盖所述像素界定图案和所述有机发光层。

可选地，所述第二基底包括像素区域和非像素区域，所述第二基底的靠近所述第一基底的一侧还设置有彩色色阻和多个黑矩阵，所述黑矩阵对应的区域为所述非像素区域，相邻的所述黑矩阵之间限定出所述像素区域，所述彩色色阻位于所述像素区域。

可选地，所述辅助电极图案对应位于所述黑矩阵的远离所述第二基底的一侧，且所述黑矩阵在所述第二基底上的投影至少覆盖对应的辅助电极图案在所述第二基底上的投影。

为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。