[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810865386.0 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN108962964B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 高昕伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高蓝色子像素发光效率,提高显示产品寿命,提升显示产品性能。本申请实施例提供的一种显示面板包括位于衬底上的像素定义层,其中,像素定义层定义出多个子像素区,子像素区包括第一类子像素区和第二类子像素区,在衬底指向像素定义层的方向上,所述第二类子像素区的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区的底部的开口面积;所述第一类子像素区内至少包括依次位于衬底之上的阳极、第一类发光层和第一阴极层;所述第二类子像素区内包括依次位于所述衬底之上的阳极、第一阴极层、第二类发光层和第二阴极层;所述第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
喷墨打印(ink-jet printing,IJP)技术由于可以显著改善(Organic Light-Emitting Diode,OLED)工艺的设备和材料成本,是目前OLED技术的主要发展方向之一,由于受限于喷墨打印材料体系现阶段研发水平,目前喷墨打印技术中蓝光材料的效率和寿命相比于红光、绿光材料都是短板,因此现有技术在OLED器件制作过程中普遍使用传统蒸镀蓝光发光单元代替打印蓝光单元,红光和绿光发光单元采用喷墨打印方式制作。但是,由于现有技术通常利用精细掩模板(Fine Metal Mask,FMM)蒸镀蓝光发光单元,受到FMM开口率的限制,采用上述方法获得的OLED器件的蓝光发光单元开口率小,蓝光效率较低,影响OLED器件性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以提高蓝色子像素发光效率,提高显示产品寿命,提升显示产品性能。
本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板包括位于衬底上的像素定义层,其中,所述像素定义层定义出多个子像素区,所述子像素区包括第一类子像素区和第二类子像素区,在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第二类子像素区的顶部的开口面积小于或等于所述第二类子像素区的底部的开口面积;
所述第一类子像素区内至少包括依次位于衬底之上的阳极、第一类发光层和第一阴极层;
所述第二类子像素区内包括依次位于所述衬底之上的阳极、第一阴极层、第二类发光层和第二阴极层;所述第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开。
本申请实施例提供的显示面板,第二类子像素区内和所述第二类子像素区之外的第一阴极层之间相互断开,这样,第二类子像素区中,第一阴极层与阳极作为发光结构的阳极,第二阴极层作为发光结构的阴极,第二类子像素区可以单独点亮,从而可以对第二类子像素区的亮度单独进行调节,提高显示效果。并且第二类发光层不止设置于第二类子像素区中,因此,在蒸镀第二类发光层时,掩膜板的开口大于第二类子像素区的开口,第二类子像素区的开口率不再受到掩膜板开口率的限制,从而可以提高第二类子像素区的发光效率,提高显示产品寿命,提高显示面板性能。
可选地,所述像素定义层具体包括:在所述衬底上的第一像素定义层和第二像素定义层,以及位于所述第一像素定义层和所述第二像素定义层上的第三像素定义层;
其中,从所述衬底指向所述像素定义层的方向,所述第一像素定义层和所述第二像素定义层的横截面逐渐减小,所述第三像素定义层的横截面逐渐增大;
在所述衬底指向所述像素定义层的方向上,所述第一类子像素区的顶部的开口面积大于或等于所述第一类子像素区的底部的开口面积。
可选地,所述像素定义层的横截面积相等,且所述像素定义层垂直于所述衬底方向上的截面为平行四边形。
可选地,所述第一类子像素区包括红色子像素和绿色子像素,所述第二类子像素包括蓝色子像素;所述第一类发光层包括位于所述红色子像素中的红色发光层以及位于所述绿色子像素中的绿色发光层,所述第二类发光层为蓝色发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的