[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和阴极，其中，所述钙钛矿发光层包括层叠设置的第一亚层和第二亚层，形成所述第一亚层的材料包括选自溴化铅、氯化铅和碘化铅中的至少之一，形成所述第二亚层的材料包括选自甲基溴化氨、甲基氯化铵、甲基碘化铵、乙基溴化铵、乙基氯化铵、乙基碘化胺、甲脒盐酸盐、甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐中的至少之一；

而且，所述第一亚层是通过溶液法形成的，所述第二亚层是通过真空蒸镀法形成的。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，形成所述第一亚层的材料还包括钝化材料，且所述钝化材料包括选自聚氧化乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物和醋酸纤维素中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一亚层和所述第二亚层的厚度各自独立为5～100nm。

4.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于，进一步包括激子阻挡层和空穴注入层，且所述激子阻挡层设置在所述钙钛矿发光层与电子传输层之间，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层与所述阳极之间；其中，所述阳极由氧化铟锡形成，所述空穴注入层由HAT-CN形成，所述空穴传输层由TCTA形成，所述第一亚层由掺杂PEO的溴化铅形成，所述第二亚层由甲基溴化氨形成，所述激子阻挡层由BCP形成，所述电子传输层由TPBi形成，且所述阴极由镁银合金形成。

5.一种制作发光二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在阳极的一侧形成空穴传输层；

在所述空穴传输层远离所述阳极的一侧形成钙钛矿发光层；

在所述钙钛矿发光层远离所述阳极的一侧形成电子传输层；

在所述电子传输层远离所述阳极的一侧形成阴极；

其中，形成所述钙钛矿发光层的步骤包括：

在所述空穴传输层远离所述阳极的一侧，通过溶液法形成第一亚层，且形成所述第一亚层的原料包括选自溴化铅、氯化铅和碘化铅中的至少之一；

在所述第一亚层远离所述阳极的一侧，通过真空蒸镀法形成第二亚层，且形成所述第二亚层的原料包括选自甲基溴化氨、甲基氯化铵、甲基碘化铵、乙基溴化铵、乙基氯化铵、乙基碘化胺、甲脒盐酸盐、甲脒氢溴酸盐和甲脒氢碘酸盐中的至少之一。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述溶液法的原料还包括钝化材料和溶剂，且所述溶剂包括选自二甲基亚砜和二甲基甲酰胺中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第一亚层的无机材料和所述钝化材料的重量比为19：1～4：1。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一亚层的步骤之后，形成所述钙钛矿发光层的步骤进一步包括：

对所述第一亚层进行退火处理，且所述退火处理的温度为70～200摄氏度。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述形成空穴传输层的步骤之前，所述方法进一步包括：

在所述阳极的表面形成空穴注入层。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述形成电子传输层的步骤之前，所述方法进一步包括：

在所述钙钛矿发光层的表面形成激子阻挡层。