[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审

申请号：	201810855742.0	申请日：	2018-07-31
公开（公告）号：	CN108987505A	公开（公告）日：	2018-12-11
发明（设计）人：	张俊兵;陈孝业;何自娟	申请（专利权）人：	晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
主分类号：	H01L31/0352	分类号：	H01L31/0352;H01L31/0216
代理公司：	广州知友专利商标代理有限公司 44104	代理人：	李海波;刘艳丽
地址：	225131 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	钝化介质层选择性掺杂太阳能电池硅基体多晶硅薄膜掺杂区域制备金属接触电极金属接触区域非掺杂区域电学性能金属接触局部掺杂位置处有效地减小损伤电池
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池，包括硅基体(1)，其特征是：所述硅基体(1)中设有选择性掺杂区域(2)，所述选择性掺杂区域(2)包括掺杂区域(21)和非掺杂区域(22)，所述选择性掺杂区域(2)的表面上设有钝化介质层(3)，所述钝化介质层(3)上设有多晶硅薄膜(4)，在所述多晶硅薄膜(4)上且在与所述掺杂区域(21)对应的位置处设有金属接触电极(5)。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)为掺杂多晶硅薄膜，所述掺杂区域(21)和掺杂多晶硅薄膜中的掺杂元素相同，所述掺杂元素为硼或磷。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述掺杂区域(21)中掺杂元素的掺杂浓度为1.0E¹⁸atoms/cm³～1.0E²⁰atoms/cm³，掺杂深度为0.1～2μm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述掺杂区域(21)和非掺杂区域(22)相互交替分布在所述硅基体(1)中。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述钝化介质层(3)为二氧化硅、二氧化钛和氮氧化硅中一种单层膜或几种的叠层膜。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征是：所述钝化介质层(3)的厚度为0.5nm～2.5nm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)的厚度为5nm～500nm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳能电池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)上还设有钝化层(6)，所述金属接触电极(5)位于所述钝化层(6)上且与所述掺杂区域(21)相对应位置处。

9.权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征是包括以下步骤：

S1、选取硅基体(1)，清洗后对硅基体(1)上的选择性掺杂区域(2)进行离子注入或激光局部掺杂，形成掺杂区域(21)和非掺杂区域(22)；

S2、清洗后，在选择性掺杂区域(2)的表面上制备钝化介质层(3)；

S3、在钝化介质层(3)的表面上沉积多晶硅薄膜(4)；

S4、在多晶硅薄膜(4)表面进行掺杂及退火，形成掺杂多晶硅薄膜；