[发明专利]电致发光器件及其制作方法和应用

权利要求书

1.一种电致发光器件，其特征在于，包括：

基板；

像素电极层，呈图案化设于所述基板的发光区；

辅助电极层，设于所述基板上，且位于所述发光区的非像素区域，所述辅助电极层的远离所述基板一侧的表面平整；

像素界定层，设于所述基板上，所述像素界定层具有像素坑和连接孔，所述像素电极层位于所述像素坑内，所述辅助电极层位于所述连接孔内；

发光层，在所述像素坑内设于所述像素电极层之上；

有机功能层，整体覆盖在所述辅助电极层、所述像素界定层以及所述发光层之上；以及

透明阴极层，整体覆盖在所述有机功能层之上；

在所述连接孔内且位于所述辅助电极层与所述透明阴极层之间的有机功能层经过碳化烧穿处理，所述辅助电极层与所述透明阴极层直接接触。

2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层包括空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的至少一层。

3.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层为电子传输层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层的厚度不超过35nm。

5.如权利要求1～3中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述辅助电极层的材料为Mo/Al/Mo；和/或

所述有机功能层的材料是TPBI、PBD、BCP、Bphen、TAZ及TmPyPB中的至少一种；和/或

所述透明阴极层的材料为IZO或Mg/Ag合金。

6.一种电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供或制作电致发光器件预制品，所述电致发光器件预制品包括基板、像素电极层、辅助电极层、像素界定层、发光层、有机功能层以及透明阴极层，所述像素电极层、所述辅助电极层及所述像素界定层设于所述基板的发光区，且所述辅助电极层位于所述发光区的非像素区域，所述辅助电极层的远离所述基板一侧的表面平整，所述像素界定层具有像素坑和连接孔，所述像素电极层位于所述像素坑内，所述辅助电极层位于所述连接孔内，所述发光层在所述像素坑内设于所述像素电极层之上，所述有机功能层，整体覆盖在所述辅助电极层、所述像素界定层以及所述发光层之上，所述透明阴极层整体覆盖在所述有机功能层之上，所述基板的非发光区设有与所述辅助电极层及所述透明阴极层电连接的导电线路；

通过相应的导电线路在所述辅助电极层与所述透明阴极层之间施加电压，使位于所述辅助电极层与所述透明阴极层之间的有机功能层因通电受热而碳化烧穿，以使所述辅助电极层与所述透明阴极层直接接触电连接。

7.如权利要求6所述的电致发光器件的制作方法，其特征在于，在所述辅助电极层与所述透明阴极层之间施加的电压在10V～30V之间。

8.如权利要求6所述的电致发光器件的制作方法，其特征在于，所述有机功能层包括空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的至少一层，且所述有机功能层的整体厚度不超过35nm。

9.如权利要求6～8中任一项所述的电致发光器件的制作方法，其特征在于，所述辅助电极层的材料为Mo/Al/Mo；和/或

所述有机功能层的材料是TPBI、PBD、BCP、Bphen、TAZ及TmPyPB中的至少一种；和/或

所述透明阴极层的材料为IZO或Mg/Ag合金。

10.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求1～5中任一项所述的电致发光器件或者包括由权利要求6～9中任一项所述的电致发光器件的制作方法制作的电致发光器件。