[发明专利]具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块有效
申请号: | 201810791086.2 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN109285850B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 林蔚峰;黄吉志;苏玉梅 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N23/54;H04N25/76 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张雅文 |
地址: | 美国加州圣克*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 保护 结构 图像传感器 模块 及其 制作方法 相机 | ||
一种图像传感器模块及其制作方法与相机模块。所述图像传感器模块包括:衬底,具有第一侧及第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对;图像传感器,附着到所述衬底的所述第一侧;接合线,将所述图像传感器接合到位于所述衬底的所述第一侧上的焊盘;保护结构,设置在所述衬底的所述第一侧上且环绕所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘,所述保护结构具有挡坝及盖体;盖玻璃,设置在所述保护结构上;以及一组焊料球,附着到所述衬底的所述第二侧。
技术领域
本发明涉及一种图像传感器模块,且更具体来说涉及一种具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块。
背景技术
最近,相机模块安装在智能手机、汽车、医疗装置等上。随着技术的发展,相机的分辨率增加,而相机的大小显著减小。相机模块通常使用但不限于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)图像传感器来制造。透射过透镜或透镜模块的入射光聚焦在形成物体的图像的图像传感器上。
图像传感器打线接合(wire bond)到位于衬底上的焊盘。对于一些相机模块,导线及衬底的焊盘可靠近图像传感器的光感测区域。一些入射光会被导线及/或焊盘反射,从而在由图像传感器探测到的图像上产生不希望的炫光。
因此,需要在所探测到的图像上不产生炫光的打线接合的图像传感器。
发明内容
图像传感器模块可包括:衬底,具有第一侧及第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对;图像传感器,附着到所述衬底的所述第一侧;接合线,将所述图像传感器接合到位于所述衬底的所述第一侧上的焊盘;保护结构,设置在所述衬底的所述第一侧上且环绕所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘;以及盖玻璃,设置在所述保护结构上。所述保护结构包括挡坝及盖体。所述盖体包括孔及环绕所述孔的不透明部件。所述孔使入射光透射以到达所述图像传感器,且所述不透明部件阻挡入射光到达所述接合线及所述焊盘。所述保护结构的所述挡坝的底部附着到所述衬底的所述第一侧,且所述盖玻璃附着到所述保护结构的所述盖体。
制作图像传感器模块的方法可包括:提供具有第一侧及第二侧的衬底,所述第一侧与所述第二侧相对,所述衬底在所述第一侧上具有多个焊盘;将多个图像传感器附着到所述衬底的所述第一侧;使用接合线将每一所述图像传感器打线接合到所述焊盘;在所述衬底的所述第一侧上设置一体结构,其中所述一体结构包括多个互连的保护结构,其中每一所述保护结构环绕每一所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘,其中每一所述保护结构包括挡坝及盖体,其中所述盖体包括孔及环绕所述孔的不透明部件,其中所述孔使入射光透射以到达所述图像传感器,且所述不透明部件阻挡入射光到达所述接合线及所述焊盘,其中所述挡坝的底部附着到所述衬底的所述第一侧;将一块盖玻璃附着到每一所述保护结构的所述盖体;以及将多组焊料球附着到所述衬底的所述第二侧。
相机模块可包括:图像传感器模块;透镜系统;间隔件,设置在所述图像传感器模块与所述透镜系统之间。图像传感器模块包括:衬底,具有第一侧及第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对;图像传感器,附着到所述衬底的所述第一侧;接合线,将所述图像传感器接合到位于所述衬底的所述第一侧上的焊盘;保护结构,设置在所述衬底的所述第一侧上且环绕所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘;以及盖玻璃,设置在所述保护结构上。所述保护结构包括挡坝及盖体。所述盖体包括孔及环绕所述孔的不透明部件。所述孔使入射光透射以到达所述图像传感器,且所述不透明部件阻挡入射光到达所述接合线及所述焊盘。所述保护结构的所述挡坝的底部附着到所述衬底的所述第一侧,且所述盖玻璃附着到所述保护结构的所述盖体。
附图说明
参照下图阐述本发明的非限制性且非穷尽实施例,其中除非另外指明,否则在全部各图中,相同的参考编号指代相同的部件。
图1示出传统相机模块的实例。
图2示出传统图像传感器模块的实例。
图3示出根据本发明实施例的示例性图像传感器模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的