[发明专利]具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块有效
申请号: | 201810791086.2 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN109285850B | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 林蔚峰;黄吉志;苏玉梅 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N23/54;H04N25/76 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张雅文 |
地址: | 美国加州圣克*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 保护 结构 图像传感器 模块 及其 制作方法 相机 | ||
1.一种图像传感器模块,其特征在于,包括:
衬底,具有第一侧及第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对;
图像传感器,附着到所述衬底的所述第一侧;
接合线,将所述图像传感器接合到位于所述衬底的所述第一侧上的焊盘;
保护结构,设置在所述衬底的所述第一侧上且环绕所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘;
所述保护结构包括挡坝及盖体;
所述盖体包括孔及环绕所述孔的不透明部件;
其中所述孔使入射光透射以到达所述图像传感器,且所述不透明部件阻挡入射光到达所述接合线及所述焊盘;
以及
盖玻璃,设置在所述保护结构上;
其中所述保护结构的所述挡坝的底部附着到所述衬底的所述第一侧,且所述盖玻璃附着到所述保护结构的所述盖体,
其中形成所述盖体的所述孔的壁与所述盖体的表面形成小于90°的夹角α。
2.根据权利要求1所述的图像传感器模块,其特征在于,还包括:
一组焊料球,附着到所述衬底的所述第二侧。
3.根据权利要求1所述的图像传感器模块,其特征在于,所述保护结构是由光吸收性材料制成。
4.根据权利要求3所述的图像传感器模块,其特征在于,所述保护结构中的散射光被所述保护结构吸收。
5.根据权利要求1所述的图像传感器模块,其特征在于,所述挡坝与所述盖体是不可分离的,从而形成一体式部件。
6.根据权利要求1所述的图像传感器模块,其特征在于,所述夹角α小于45°。
7.根据权利要求1所述的图像传感器模块,其特征在于,所述图像传感器是互补金属氧化物半导体图像传感器。
8.一种制作图像传感器模块的方法,其特征在于,包括:
提供具有第一侧及第二侧的衬底,所述第一侧与所述第二侧相对,所述衬底在所述第一侧上具有多个焊盘;
将多个图像传感器附着到所述衬底的所述第一侧;
使用接合线将每一所述图像传感器打线接合到所述焊盘;
在所述衬底的所述第一侧上设置一体结构;
其中所述一体结构包括多个互连的保护结构,
其中每一所述保护结构环绕每一所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘,
其中每一所述保护结构包括挡坝及盖体,
其中所述盖体包括孔及环绕所述孔的不透明部件;
其中所述孔使入射光透射以到达所述图像传感器,且所述不透明部件阻挡入射光到达所述接合线及所述焊盘;
其中所述挡坝的底部附着到所述衬底的所述第一侧;
将一块盖玻璃附着到每一所述保护结构的所述盖体;以及
将多组焊料球附着到所述衬底的所述第二侧。
9.根据权利要求8所述的制作图像传感器模块的方法,其特征在于,还包括:
将所述一体结构及所述衬底单体化,以形成多个图像传感器模块单元。
10.根据权利要求9所述的制作图像传感器模块的方法,其特征在于,所述多个图像传感器模块单元中的图像传感器模块单元包括:
衬底,具有第一侧及第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对;
图像传感器,附着到所述衬底的所述第一侧;
接合线,将所述图像传感器接合到位于所述衬底的所述第一侧上的焊盘;
保护结构,设置在所述衬底的所述第一侧上且环绕所述图像传感器、所述接合线及所述焊盘;
盖玻璃,设置在所述保护结构上;以及
一组焊料球,附着到所述衬底的所述第二侧。
11.根据权利要求8所述的制作图像传感器模块的方法,其特征在于,每一所述保护结构的横截面是正方形及矩形中的一种。
12.根据权利要求8所述的制作图像传感器模块的方法,其特征在于,所述一体结构是由光吸收性材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的