[发明专利]一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法在审
申请号: | 201810790452.2 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN108558404A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 夏田;孙姝彤;张静 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/645 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 刘华 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 金属陶瓷 烧结 制备 金属陶瓷材料 热压烧结炉 产物纯度 晶体结构 优良性能 制备周期 摩尔比 烘干 配比 球磨 破碎 金属 | ||
1.一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将钛粉、硅粉、碳化钛粉按照摩尔比1:1.2:2湿法球磨,充分球磨后取出球磨罐,连同球磨罐罐体一起真空干燥,过筛后得到混合粉体;将混合粉体装入石墨模具中,1400~1550℃、25Mpa热压烧结,得到Ti3SiC2金属陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:
1)将钛粉、硅粉、碳化钛粉按一定的摩尔比称取倒入球磨罐里,球磨罐的球磨之比为10:1;
2)将步骤1)中的原料放入行星式球磨机上,湿法球磨;
3)将步骤2)中的球磨罐放入真空干燥箱干燥,再将干燥好的粉体经过80目的筛网过筛得到混合粉末;
4)将步骤3)中的混合粉末装入石墨模具中,放置热压烧结炉进行烧结,制备出圆片Ti3SiC2试样。
3.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤1)所述的钛粉、碳化钛粉提供钛源、硅粉提供硅源,Ti:Si:TiC=1:1.2:2。
4.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的放入行星式球磨机4个小时,保持原料均匀混合。
5.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:将步骤3)球磨液体真空干燥的目的是防止氧化,实现粉料均匀,干燥箱温度75℃,干燥时间4小时。
6.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:将步骤4)的粉末放置热压烧结炉中,热压烧结炉中的温度保持1400~1550℃,压力保持25Mpa,保温保压3h,升温速度10℃/min,800℃卸压,再自然冷却至室温。
7.采用权利要求1~6中任意一项所述方法制备的Ti3SiC2金属陶瓷。
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