[发明专利]一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810790452.2 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN108558404A 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 夏田;孙姝彤;张静 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C04B35/56 分类号: C04B35/56;C04B35/645
代理公司: 西安西达专利代理有限责任公司 61202 代理人: 刘华
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 金属陶瓷 烧结 制备 金属陶瓷材料 热压烧结炉 产物纯度 晶体结构 优良性能 制备周期 摩尔比 烘干 配比 球磨 破碎 金属
【权利要求书】:

1.一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将钛粉、硅粉、碳化钛粉按照摩尔比1:1.2:2湿法球磨,充分球磨后取出球磨罐,连同球磨罐罐体一起真空干燥,过筛后得到混合粉体;将混合粉体装入石墨模具中,1400~1550℃、25Mpa热压烧结,得到Ti3SiC2金属陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:

1)将钛粉、硅粉、碳化钛粉按一定的摩尔比称取倒入球磨罐里,球磨罐的球磨之比为10:1;

2)将步骤1)中的原料放入行星式球磨机上,湿法球磨;

3)将步骤2)中的球磨罐放入真空干燥箱干燥,再将干燥好的粉体经过80目的筛网过筛得到混合粉末;

4)将步骤3)中的混合粉末装入石墨模具中,放置热压烧结炉进行烧结,制备出圆片Ti3SiC2试样。

3.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤1)所述的钛粉、碳化钛粉提供钛源、硅粉提供硅源,Ti:Si:TiC=1:1.2:2。

4.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤2)所述的放入行星式球磨机4个小时,保持原料均匀混合。

5.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:将步骤3)球磨液体真空干燥的目的是防止氧化,实现粉料均匀,干燥箱温度75℃,干燥时间4小时。

6.根据权利要求2所述的一种Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法,其特征在于:将步骤4)的粉末放置热压烧结炉中,热压烧结炉中的温度保持1400~1550℃,压力保持25Mpa,保温保压3h,升温速度10℃/min,800℃卸压,再自然冷却至室温。

7.采用权利要求1~6中任意一项所述方法制备的Ti3SiC2金属陶瓷。

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