[发明专利]通过焊接方法制造功率电子子模块的方法有效
| 申请号: | 201810760339.X | 申请日: | 2018-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN109249129B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 克里斯蒂安·约布尔;索尼娅·施魏加德 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;B23K26/21 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 蔡石蒙;车文 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通过 焊接 方法 制造 功率 电子 模块 | ||
1.一种用于制造功率电子子模块(1)的方法,所述功率电子子模块(1)具有电绝缘电路载体(20),金属导体路径(22)和以电传导方式与所述金属导体路径(22)连接在一起的连接器元件(5),所述方法包括以下方法步骤:
a.提供所述电绝缘电路载体(20),所述电绝缘电路载体(20)带有布置在第一主面上的金属导体路径(22),所述金属导体路径(22)具有第一接触面(220),所述第一接触面(220)被设置成以便以材料结合和电传导方式连接至所述连接器元件(5)的第二接触面(520);
b.相对于所述金属导体路径(22)设置所述连接器元件(5),其中所述第一接触面(220)和所述第二接触面(520)彼此相接触,或者具有小于300微米的相互间隔(620);
c.用激光辐射撞击所述连接器元件(5)的转移表面(54)的局部面(540),所述局部面(540)即为与所述第二接触面(520)相对的那个表面,以在所述金属导体路径(22)和所述连接器元件(5)之间构造焊接连接,其中所述金属导体路径(22)仅局部熔融达所述金属导体路径(22)的厚度(210)的至多90%的深度,
其中,激光束的焦点直径(D)满足条件3λ<D<10λ,
其中,在所述方法步骤c)中的激光束(6)的焦点(60)在所述连接器元件(5)的所述转移表面(54)和所述连接器元件(5)的厚度(510)的80%之间,并且
其中,所述焦点至少在所述焊接连接的结构的开始处直接位于所述转移表面上,并且在开始焊接工艺之后,从所述转移表面开始,一旦所述连接器元件的部分已经熔合之后,则在朝向所述金属导体路径的方向上转移所述焦点。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
在所述方法步骤c)中的激光通过辐射以脉冲并且点状的方式撞击所述局部面(540)的单独的位置。
3.如权利要求1的方法,其中:
在所述方法步骤c)中的激光束以蜿蜒的方式扫过所述局部面(540)。
4.如前述权利要求中的一项所述的方法,其中:
在所述方法步骤b)中的间隔(620)在5微米和300微米之间。
5.如权利要求1-3中的一项所述的方法,其中:
其中所述金属导体路径(22)熔融的深度(610)至多为所述金属导体路径(22)的厚度(210)的70%,且至少为所述金属导体路径(22)的厚度(210)的10%。
6.如权利要求1-3中的一项所述的方法,其中:
激光束的波长在500纳米和600纳米之间,或者在900纳米和1300纳米之间。
7.如权利要求1-3中的一项所述的方法,其中:
所述激光束的焦点直径(D)满足条件5λ<D<8λ。
8.如权利要求1-3中的一项所述的方法,其中:
所述金属导体路径(22)由金属箔构成,具有200微米和500微米之间的厚度。
9.如权利要求8所述的方法,其中:
在所述第一接触面(220)的区域中的所述金属导体路径(22)由金属箔构成,所述金属箔在该金属箔上布置有双倍构件(222),其由铜或铝构成,并且具有500微米和2毫米之间的厚度。
10.如权利要求1至3中的一项所述的方法,其中:
所述连接器元件通过金属箔形成,具有200微米和2毫米之间的厚度(510)。
11.如权利要求1至3中的一项所述的方法,其中:
所述连接器元件由管脚或压配合接触元件形成,具有100微米和1毫米之间的厚度。
12.如权利要求1所述的方法,其中:
在所述方法步骤c)中的激光通过辐射以脉冲并且点状的方式撞击所述局部面(540)的至少十个位置。
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