[发明专利]一种氮化铝膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810744218.6 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108950477A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;徐孝灵;郑远志;陈向东;康建 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/34;C23C28/04;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;臧建明 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 氮化铝膜 重排 制备方法和应用 高温退火 反应室 氨气 表面裂纹 三甲基铝 生长设备 衬底层 温度降 溅射 时长 制备 集合 | ||
1.一种氮化铝膜的制备方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：
1)在衬底层上溅射出厚度为5～300nm的第一氮化铝层；
2)控制生长设备的反应室温度为1400～1700℃，对所述第一氮化铝层进行高温退火处理，得到第一重排氮化铝层；其中，所述高温退火处理的时长为5～200min；
3)控制所述反应室的温度降至1100～1350℃，通入三甲基铝和氨气，在所述第一重排氮化铝层上生成厚度为500～5000nm的第二氮化铝层；
所述第一重排氮化铝层与所述第二氮化铝层的集合为所述氮化铝膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的功率为1～10KW，所述溅射的时间为10s～20min。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤1)中通入氧气和氮气；
所述氧气的流量为1～10mL/min，所述氮气的流量为100～300mL/min。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述高温退火处理的退火气氛为氮气。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，控制所述反应室的压力为20～100mbar。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，控制所述第二氮化铝层的生长速度为0.5～3μm/h，生长时间为10～180min。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述氨气和三甲基铝的摩尔流量比为(10～2000)：1。
8.根据权利要求1-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述生长设备选自金属有机化学气相沉积设备、分子束外延设备或者氢化物气相外延设备中的一种。
9.一种氮化铝膜，其特征在于，按照权利要求1-8任一所述制备方法得到。
10.一种发光二极管，其特征在于，包括权利要求9所述的氮化铝膜。
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