[发明专利]像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201810716653.8 | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN108899329A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李广耀;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素单元 薄膜晶体管 像素阵列 显示面板 显示装置 依次增大 宽长比 数据线 源层 栅线 制备 数据写入方向 数据线交叉 绝缘设置 扫描方向 同一列 位置处 条栅 | ||
本发明提供一种像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置,属于显示技术领域。本发明的像素阵列包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,以及栅线和数据线交叉位置处限定出的像素单元;每个像素单元均包括薄膜晶体管,位于同一行的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿栅线的扫描方向依次增大;和/或,位于同一列的像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿数据线的数据写入方向依次增大。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
现有的阵列基板的示意图如图1所示,其工作原理如下:在对栅线逐行进行扫描时,每一行的薄膜晶体管将会被打开,此时,数据线上写入的数据电压信号会存储至存储电容Cst里;在停止对栅线进行扫描时,存储电容Cst用于为与其电连接的液晶电容Clc两端提供电压,以使液晶电容Clc两端的电压在停止扫描后仍保持不变,以达到显示画面的目的。
但是,发明人发现:由于传输栅极电压信号的栅线和传输数据电压信号的数据线本身存在电压降,故在使用栅线、数据线分别对栅极电压信号、数据电压信号进行传输的过程中,栅极电压信号、数据电压信号会分别随着栅线、数据线长度的增加而不断减小,从而造成不同行、列的薄膜晶体管所连接的存储电容中存储的电荷不一样,进而使得由该阵列基板所制备的显示面板的均匀性较差,显示面板的显示质量低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种提高显示面板的显示效果的像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素阵列,包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,以及所述栅线和所述数据线交叉位置处限定出的像素单元;每个所述像素单元均包括薄膜晶体管,位于同一行的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述栅线的扫描方向依次增大;和/或,位于同一列的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述数据线的数据写入方向依次增大。
优选的是,每条所述栅线包括相对设置的第一端、第二端;
对于任意两相邻的所述栅线的扫描方向,其中,一者的所述扫描方向为由第一端指向所述第二端的方向,另一者的所述扫描方向为由第二端指向所述第一端的方向。
优选的是,每条所述栅线包括相对设置的第一端、第二端;
每条所述栅线的所述扫描方向包括由第一端指向所述第二端的方向;或者,
每条所述栅线的所述扫描方向包括由第二端指向所述第一端的方向。
优选的是,每个所述像素单元还包括:存储电容、液晶电容;
所述存储电容的第一极片与薄膜晶体管的漏极、液晶电容的第一极片电连接;
所述存储电容的第二极片、液晶电容的第二极片均与地线电连接。
优选的是,所述薄膜晶体管包括:顶栅顶接触型薄膜晶体管、顶栅底接触型薄膜晶体管、底栅顶接触型薄膜晶体管、底栅底接触型薄膜晶体管中的任意一种。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素阵列的制备方法,包括在第一基底上形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,其中,所述栅线和所述数据线的交叉位置处限定的区域为像素单元,其特征在于,形成所述像素单元的步骤包括:
形成薄膜晶体管各层结构的步骤;其中,所形成的同一行的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述栅线的扫描方向依次增大;和/或,所形成的同一列的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述数据线的数据写入方向依次增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的