[发明专利]像素阵列及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 201810716653.8 | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN108899329A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李广耀;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素单元 薄膜晶体管 像素阵列 显示面板 显示装置 依次增大 宽长比 数据线 源层 栅线 制备 数据写入方向 数据线交叉 绝缘设置 扫描方向 同一列 位置处 条栅 | ||
1.一种像素阵列,包括交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,以及所述栅线和所述数据线交叉位置处限定出的像素单元;每个所述像素单元均包括薄膜晶体管,其特征在于,位于同一行的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述栅线的扫描方向依次增大;和/或,位于同一列的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述数据线的数据写入方向依次增大。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,每条所述栅线包括相对设置的第一端、第二端;
对于任意两相邻的所述栅线的扫描方向,其中,一者的所述扫描方向为由第一端指向所述第二端的方向,另一者的所述扫描方向为由第二端指向所述第一端的方向。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,每条所述栅线包括相对设置的第一端、第二端;
每条所述栅线的所述扫描方向包括由第一端指向所述第二端的方向;或者,
每条所述栅线的所述扫描方向包括由第二端指向所述第一端的方向。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,每个所述像素单元还包括:存储电容、液晶电容;
所述存储电容的第一极片与薄膜晶体管的漏极、液晶电容的第一极片电连接;
所述存储电容的第二极片、液晶电容的第二极片均与地线电连接。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:顶栅顶接触型薄膜晶体管、顶栅底接触型薄膜晶体管、底栅顶接触型薄膜晶体管、底栅底接触型薄膜晶体管中的任意一种。
6.一种如权利要求1-5中任一所述的像素阵列的制备方法,包括在第一基底上形成交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线,其中,所述栅线和所述数据线的交叉位置处限定的区域为像素单元,其特征在于,形成所述像素单元的步骤包括:
形成薄膜晶体管各层结构的步骤;其中,所形成的同一行的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述栅线的扫描方向依次增大;和/或,所形成的同一列的所述像素单元中的薄膜晶体管的有源层的宽长比,沿所述数据线的数据写入方向依次增大。
7.根据权利要求6所述的像素阵列的制备方法,其特征在于,当所述薄膜晶体管为顶栅顶接触型薄膜晶体管时,所述形成薄膜晶体管各层结构的步骤具体包括:
通过构图工艺,在所述第一基底上形成包括薄膜晶体管的有源层的图形;
通过构图工艺,在所述有源层背离所述第一基底的一侧依次形成包括栅极绝缘层和栅极的图形;其中,所述栅极与所述栅线电连接;
形成层间绝缘层,并在所述层间绝缘层中形成源极接触过孔和漏极接触过孔;
通过构图工艺,形成包括薄膜晶体管的源极、漏极的图形;其中,所述源极通过所述源极接触过孔与所述有源层的源极接触区电连接,所述源极还与所述数据线电连接;所述漏极通过所述漏极接触过孔与所述有源层的漏极接触区电连接。
8.根据权利要求6所述的像素阵列的制备方法,其特征在于,所述像素阵列的制备方法还包括:
形成存储电容、液晶电容的步骤;其中,所述存储电容的第一极片与薄膜晶体管的漏极、液晶电容的第一极片电连接;
所述存储电容的第二极片、液晶电容的第二极片均与地线电连接。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-5中任一项所述的像素阵列。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的