[发明专利]承载机台及其控制方法有效
申请号: | 201810708214.2 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN108878327B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王世龙;蒋志亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 机台 及其 控制 方法 | ||
本发明是关于一种承载机台及其控制方法,属于机械设备技术领域。该承载机台包括:调节组件和用于承载衬底基板的承载台,所述调节组件用于将所述承载台的台面的弯曲度调整为目标弯曲度,使得所述衬底基板与设置在所述衬底基板上方的掩膜版的间距属于预设范围,解决了掩膜版下垂而使无机层阴影区域的面积比较大,外界水氧易进入显示面板,影响显示面板的使用寿命的问题,达到了提高显示面板的使用寿命的效果,用于制备显示面板。
技术领域
本发明涉及机械设备技术领域,特别涉及一种承载机台及其控制方法。
背景技术
薄膜封装工艺是制备显示面板中的重要工艺之一。在进行薄膜封装工艺时,通常是将玻璃基板放置在承载机台上,通过掩膜框架(英文:frame)将掩膜版固定在玻璃基板的上方,然后基于该掩膜版在玻璃基板上进行等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,PECVD)操作,使得等离子体通过掩膜版的透光区域在玻璃基板上形成无机层,比如无机层包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等。
相关技术中,一般将形成在玻璃基板上且厚度为预设厚度的90%~50%的无机层所在的区域称作第一阴影区域,该第一阴影区域在玻璃基板上的正投影位于掩膜版的透光区域在玻璃基板上的正投影内,同时将厚度小于预设厚度的50%的无机层所在的区域称作第二阴影区域,该第二阴影区域在玻璃基板上的正投影位于掩膜版的非透光区域在玻璃基板上的正投影内,第一阴影区域和第二阴影区域的面积越大,外界水氧越容易进入显示面板。
而掩膜版常常会在自身重力作用下发生下垂现象,当掩膜版下垂时第一阴影区域和第二阴影区域的面积会比较大,外界水氧易进入显示面板,影响显示面板的使用寿命。
发明内容
本发明实施例提供了一种承载机台及其控制方法,可以解决相关技术中掩膜版下垂而使无机层阴影区域的面积会比较大,外界水氧易进入显示面板,影响显示面板的使用寿命的问题。所述技术方案如下:
根据本发明实施例的第一方面,提供一种承载机台,包括:调节组件和用于承载衬底基板的承载台,所述衬底基板与所述承载台的台面贴合,
所述调节组件用于将所述承载台的台面的弯曲度调整为目标弯曲度,使得所述衬底基板与设置在所述衬底基板上方的掩膜版的间距属于预设范围。
可选的,所述调节组件包括处理模块和与所述处理模块电连接的控制模块,
所述处理模块用于在接收到调整指令时,确定所述目标弯曲度,所述调整指令用于指示所述掩膜版的版面的弯曲度;
所述处理模块还用于根据所述目标弯曲度确定所述台面多个预设位置中每个所述预设位置的高度,并向所述控制模块发送控制指令,所述控制指令用于指示每个所述预设位置的高度;
所述控制模块用于根据所述控制指令调整所述台面每个所述预设位置的高度,以将所述承载台的台面的弯曲度调整为所述目标弯曲度。
可选的,所述控制模块包括多个调节单元和多个支撑柱,所述多个调节单元和所述多个支撑柱设置在所述承载台远离所述衬底基板的一面,所述多个调节单元和所述多个支撑柱一一对应,
每个所述调节单元与所述处理模块电连接,并与对应的支撑柱的一端连接,每个所述支撑柱的另一端设置在所述台面的一个预设位置处,
每个所述调节单元用于根据所述控制指令调整对应的支撑柱的高度,以调整对应的预设位置的高度。
可选的,所述调节单元为液压千斤顶。
可选的,所述支撑柱由合金钢制成。
可选的,所述调节组件还用于在接收到恢复指令时,调整所述台面的弯曲度,使得所述承载台的台面与水平面平行,所述恢复指令用于指示等离子体增强化学气相沉积PECVD操作执行完毕。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造