[发明专利]一种晶硅太阳能电池金属电极的激光烧结方法有效
申请号: | 201810707979.4 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN108878591B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 常青;张鹏;谢耀辉;余波;张元秋 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 53113 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属栅线 晶硅太阳能电池 激光烧结 激光器 硅太阳能电池 金属电极 种晶 激光 半导体制冷片 电池转换效率 连续波激光器 电池片表面 高温破坏 激光照射 加热固化 等宽 传统的 加热管 等长 硅片 加热 金属 | ||
【权利要求书】:
1.一种晶硅太阳能电池金属电极的激光烧结方法,其特征在于:采用与金属栅线(1)等宽等长的激光器(2)对电池片(3)表面的金属栅线(1)进行激光烧结,在金属栅线(1)的两侧均设置有半导体制冷片(4)。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池金属电极的激光烧结方法,其特征在于:每根金属栅线(1)对应使用一个激光器(2),且激光器(2)采用连续波激光器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的