[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器，包括衬底、位于所述衬底上的沿与所述衬底垂直的方向交替层叠的栅极层和间隔层、沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔、位于所述沟道孔内的沟道层以及接触所述沟道层的漏极，其中所述漏极接触所述沟道层的顶部区域的沿与所述衬底垂直的方向延伸的至少一个侧面。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述漏极在面向所述沟道层的一侧具有连接部，所述连接部接触所述沟道层的顶部区域的内侧面和/或外侧面。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述顶部区域沿与所述衬底垂直的方向的高度是10-30nm。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述漏极沿与所述衬底垂直的方向的高度是80-100nm。

5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述漏极沿所述沟道孔的径向向外的方向突出于所述沟道层。

6.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括位于所述沟道层外侧的存储器层。

7.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述漏极面向所述沟道层的表面，不低于所述三维存储器中最高的栅极层的上表面。

8.一种形成三维存储器的方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于所述衬底上的交替层叠的栅极层和间隔层或伪栅极层和间隔层、沿与所述衬底垂直的方向贯穿所述交替层叠的栅极层和间隔层的沟道孔以及位于所述沟道孔内的沟道层；

选择性去除所述沟道孔中覆盖所述沟道层的顶部区域的沿与所述衬底垂直的方向延伸的至少一个侧面的材料，以露出所述顶部区域的所述至少一个侧面；

在所述沟道孔内形成漏极，所述漏极接触所述顶部区域的所述至少一个侧面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述沟道层外侧的存储器层以及位于所述沟道层内侧的填充柱，其中选择性去除所述沟道孔中覆盖所述沟道层的顶部区域的沿与所述衬底垂直的方向延伸的至少一个侧面的材料的步骤包括：

在所述填充柱顶部形成凹槽；

去除所述沟道层的部分高度；

去除所述存储器层和所述填充柱的部分高度，以露出所述顶部区域的内侧面和外侧面。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔内形成漏极步骤包括：在所述顶部区域共形地形成连接部，所述连接部接触所述沟道层的顶部区域的内侧面和外侧面。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括位于所述沟道层内侧的填充柱，其中选择性去除所述沟道孔中覆盖所述沟道层的顶部区域的沿与所述衬底垂直的方向延伸的至少一个侧面的材料的步骤包括：

在所述填充柱顶部形成凹槽；

去除所述沟道层的部分高度；

去除所述填充柱的部分高度，以露出所述顶部区域的内侧面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔内形成漏极步骤包括：在所述顶部区域共形地形成连接部，所述连接部接触所述沟道层的顶部区域的内侧面。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述顶部区域沿与所述衬底垂直的方向的高度是10-30nm。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述漏极沿与所述衬底垂直的方向的高度是80-100nm。

15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述漏极面向所述沟道层的表面，不低于所述三维存储器中最高的栅极层的上表面。