[发明专利]太阳能电池与其制作方法

说明书

本申请提供了一种太阳能电池与其制作方法。该太阳能电池包括衬底和依次叠置设置在衬底表面上的多个电池单元，各电池单元包括依次叠置设置的背场层、基层与发射层，各电池单元中的基层不同，其中，背场层的掺杂类型与基层的掺杂类型相同，基层与发射层形成PN结，至少一个基层为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层；各周期结构包括叠置设置的第一子结构层和第二子结构层，第一子结构层的掺杂类型和第二子结构层中的掺杂类型相同，且第一子结构层的掺杂浓度大于第二子结构层中的掺杂浓度；或者，第一子结构层为掺杂层，第二子结构层为本征层。该太阳能电池的光电转换效率较高。

技术领域

本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种太阳能电池与其制作方法。

背景技术

随着节能减排运动的兴起，太阳能电池的应用越来越广泛。基于质量小、体积小、可弯曲以及制作工艺简单这些特点，太阳能电池作也被越来越广泛地应用。

目前，单结的太阳能电池主要包括衬底、基层以及发射层，其中，基层中的少子的寿命对电池效率有很大的影响，一般地，基层需要进行一定的掺杂使其成为N型或者P型结构层，但是，由于掺杂源与晶体本身原子大小的区别，在基层掺杂的过程中会引入大量的缺陷，这样会大大降低基层中少子的寿命，从而限制了太阳能电池的转换效率。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种太阳能电池与其制作方法，以解决现有技术中的太阳能电池转换效率较低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括衬底和依次叠置设置在上述衬底表面上的多个电池单元，各上述电池单元包括依次叠置设置的背场层、基层与发射层，各上述电池单元中的基层不同，其中，上述背场层的掺杂类型与上述基层的掺杂类型相同，上述基层与上述发射层形成PN结，至少一个上述基层为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层；各上述周期结构包括叠置设置的第一子结构层和第二子结构层，上述第一子结构层的掺杂类型和上述第二子结构层中的掺杂类型相同，且上述第一子结构层的掺杂浓度大于上述第二子结构层中的掺杂浓度；或者，上述第一子结构层为掺杂层，上述第二子结构层为本征层。

进一步地，上述第一子结构层的掺杂浓度在1e18～1e22/cm³之间，上述第二子结构层中的掺杂浓度在0～1e18/cm³之间。

进一步地，上述基层的厚度在500～5000nm之间。

进一步地，上述第一子结构层有2～200个，上述第一子结构层和第二子结构层的个数相同。

进一步地，上述第一子结构层和/或上述第二子结构层的厚度在2.5-250nm之间。

进一步地，上述太阳能电池为III/V太阳能电池，上述第一子结构层的材料和上述第二子结构层的材料相同且选自GaAs、InP、GaN和In_AGa_1-AP中的一种，其中，0.4≤A≤0.6。

进一步地，相邻的两个上述电池单元之间设置有隧道结层。

进一步地，上述隧道结层包括沿远离上述衬底的方向依次叠置设置的第一子隧道结层和第二子隧道结层，与上述隧道结层相邻的两个上述电池单元分别为第一电池单元和第二电池单元，上述第一电池单元与上述衬底的距离小于上述第二电池单元与上述衬底的距离，上述第一子隧道结层的掺杂类型与和上述第一电池单元中的上述基层的掺杂类型相反，上述第二子隧道结层的掺杂类型与上述第一子隧道结层的掺杂类型相反。